醇盐化合物以及薄膜形成用原料制造技术

本发明专利技术涉及一种由下述通式（I）表示的醇盐化合物以及含有该醇盐化合物的薄膜形成用原料。式中，R1表示碳原子数为2～4的直链或支链状烷基，R2、R3表示碳原子数为1～4的直链或支链状烷基。在下述通式（I）中，R1优选为乙基。另外，还优选R2和R3中的任一者或两者为乙基。另外，含有由下述通式（I）表示的醇盐化合物的薄膜形成用原料优选用作化学气相沉积法用原料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】醇盐化合物以及薄膜形成用原料
本专利技术涉及一种具有特定的配位基的新型镍醇盐化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料。
技术介绍
含有镍的薄膜主要用于电阻膜、阻挡膜等电子部件的构件、磁性膜等记录介质用的构件、电极等薄膜太阳电池用构件等。作为上述的薄膜的制造方法，可以列举出火焰沉积法、溅射法、离子镀法、涂布热分解法以及溶胶凝胶法等MOD法、化学气相沉积法等，由于具有组成控制性、阶梯覆盖性优良，适合于批量生产化，以及能够实现混合集成等诸多优点的缘故，包括ALD(Atomic Layer Deposition,原子层沉积)法在内的化学气相沉积(以下有时也仅记为CVD)法是最适合的制造工艺。在MOD法或CVD法中，作为对薄膜供给镍原子的前体，一直使用利用了有机配位基的化合物。在专利文献I中报道了镍的3级醇盐(也称为叔醇盐)化合物，在专利文献2中， 报道了通过使用了镍的醇盐的CVD法来制造含有镍原子的复合氧化物薄膜的制造方法。另外，在非专利文献I中，报道了通过使用了镍的3级醇盐化合物的ALD法来制作镍氧化膜的技术。有关镍化合物，对本专利技术的2级醇盐(也称为仲醇盐)化合物并没有报道，并且对于使用了它的薄膜的制造方法也没有报道。现有技术文献专利文献专利文献1:W02006/107121A1专利文献2:W02006/021850A2非专利文献非专利文献I J.Vac.Sc1.Technol.A, Vol.23，N0.4，Jul/Aug20051238-1243
技术实现思路
本专利技术要解决的问题对于CVD法等通过使化合物(前体)气化而形成薄膜的方法，该化合物被要求的性质是:熔点较低、能够以液体的状态进行输送，以及蒸汽压较大、容易使其气化。以往的镍化合物并非是在这些方面能够充分满足要求的化合物。解决问题的手段本【专利技术者】等人反复研究的结果发现，配位基使用了特定的仲氨基醇的镍醇盐化合物能够解决上述问题，从而完成了本专利技术。即,本专利技术提供一种醇盐化合物(alkoxide compound),其由下述通式(I)表示。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.08.02 JP 2011-1691031.一种醇盐化合物，其由下述通式(I)表示， 2.根据权利要求1所述的醇盐化合物，其中，在所述通式(I)中，R1为乙基。3.根据权利要求1或2所述的醇盐化合物，其中，在所述通式(I)中，R2和R3中的任一者或两者为乙基。4.根据权利要求1~3中任一项所述的醇盐化合物，其是薄膜形成用原料。5.一种薄膜形成用原料，其含有权利要求1~3中任一项所述的醇盐化合物。6.根据权利要求5所述的薄膜形成用原料，其用作化学气相沉积法用原料。7.根据权利要求6所述的薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：和田仙二，斋藤昭夫，吉野智晴，
申请(专利权)人：株式会社艾迪科，
类型：
国别省市：