一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法技术

本发明专利技术公开了一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法，先准备好可加温的真空浸渍缸、组装好待浸渍的电容器；再按照三个阶段对电容器进行浸渍处理，第三阶段完成之后，持续持续抽真空保持真空度10Pa，时间为6小时；真空时间过后，向真空浸渍缸内灌注已处理好的浸渍料。本发明专利技术减少了原先电容内部无法抽尽的气泡和水气；将原先热处理和真空浸渍两个工艺合二为一，减少了生产周期；改变了预先直接真空热处理加热漫长且电容内部芯组受热不均的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及电力电子领域，尤其涉及一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸溃处理方法。
技术介绍
现有技术中对电容器的智真空浸溃处理方法为:先将电容单个芯组热处理，待组装焊接后一直进行真空处理加热。缺点:1、热处理后直接真空浸溃处理，留在电容芯组内部的气泡和水气将无法处理掉。2、真空后热处理，时间漫长、电容受热不均。
技术实现思路
本专利技术目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸溃处理方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的: 一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸溃处理方法，其特征在于，先准备好可加温的真空浸溃缸、组装好待浸溃的电容器；再按照如下三个阶段对电容器进行浸溃处理: 第一阶段: (1)将组装好待浸溃的电容器放入真空浸溃缸； (2)将真空浸溃缸加温至45-50°C保持I小时；(3)加温时间过后持续抽真空保持真空浸溃缸真空度为10Pa，时间为I小时； 第二阶段: (4)真空时间过后，破真空至标准大气压下，真空浸溃缸加温至75-80°C保持I小时；(5)加温时间过后持续抽真空保持真空浸溃缸真空度为10Pa，时间为I小时； 第二阶段循环2次； 第三阶段: (6)第二阶段完成之后，破真空至标准大气压下，真空浸溃缸加温至100-105°C保持I小时；(7)加温时间过后持续抽真空保持真空浸溃缸真空度为10Pa，时间为I小时； 第三阶段循环4次； (8)第三阶段完成之后，持续持续抽真空保持真空度10Pa，时间为6小时； (9)真空时间过后，向真空浸溃缸内灌注已处理好的浸溃料； (10)灌注浸溃料后保持浸溃缸温度80-85°C，持续真空度10Pa，时间为6小时； (11)处理时间完成后，破真空，抽回浸溃料，取出电容器。本专利技术的原理是: 本专利技术通过连续的抽真空、破真空热处理使得电容内部芯子因真空收缩和破真空热处理膨胀，减少芯子内部气泡和水气。本专利技术的优点是: 1、减少了原先电容内部无法抽尽的气泡和水气。2、将原先热处理和真空浸溃两个工艺合二为一，减少了生产周期。3、改变了预先直接真空热处理加热漫长且电容内部芯组受热不均的现象。【具体实施方式】一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸溃处理方法，先准备好可加温的真空浸溃缸、组装好待浸溃的电容器；再按照如下三个阶段对电容器进行浸溃处理: 第一阶段: (1)将组装好待浸溃的电容器放入真空浸溃缸； (2)将真空浸溃缸加温至45-50°C保持I小时； (3)加温时间过后持续抽真空保持真空浸溃缸真空度为10Pa，时间为I小时； 第二阶段: (4)真空时间过后，破真空至标准大气压下，真空浸溃缸加温至75-80°C保持I小时； (5)加温时间过后持续抽真空保持真空浸溃缸真空度为10Pa，时间为I小时； 第二阶段循环2次； 第三阶段: (6)第二阶段完成之后，破真空至标准大气压下，真空浸溃缸加温至100-105°C保持I小时； (7)加温时间过后持续抽真空保持真空浸溃缸真空度为10Pa，时间为I小时； 第三阶段循环4次； (8)第三阶段完成之后，持续持续抽真空保持真空度10Pa，时间为6小时； (9)真空时间过后，向真空浸溃缸内灌注已处理好的浸溃料； (10)灌注浸溃料后保持浸溃缸温度80-85°C，持续真空度10Pa，时间为6小时； (11)处理时间完成后，破真空，抽回浸溃料，取出电容器。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法，其特征在于，先准备好可加温的真空浸渍缸、组装好待浸渍的电容器；再按照如下三个阶段对电容器进行浸渍处理：????第一阶段:????（1）将组装好待浸渍的电容器放入真空浸渍缸；????（2）将真空浸渍缸加温至45?50℃保持1小时；????（3）加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa，时间为1小时；????第二阶段：????（4）真空时间过后，破真空至标准大气压下，真空浸渍缸加温至75?80℃保持1小时；????（5）加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa，时间为1小时；????第二阶段循环2次；????第三阶段：????（6）第二阶段完成之后，破真空至标准大气压下，真空浸渍缸加温至100?105℃保持1小时；????（7）加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa，时间为1小时；?????第三阶段循环4次；????（8）第三阶段完成之后，持续持续抽真空保持真空度10Pa，时间为6小时；（9）真空时间过后，向真空浸渍缸内灌注已处理好的浸渍料；（10）灌注浸渍料后保持浸渍缸温度80?85℃，持续真空度10Pa，时间为6小时；（11）处理时间完成后，破真空，抽回浸渍料，取出电容器。...

【技术特征摘要】
1.一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸溃处理方法，其特征在于，先准备好可加温的真空浸溃缸、组装好待浸溃的电容器；再按照如下三个阶段对电容器进行浸溃处理: 第一阶段: (1)将组装好待浸溃的电容器放入真空浸溃缸； (2)将真空浸溃缸加温至45-50°C保持I小时； (3)加温时间过后持续抽真空保持真空浸溃缸真空度为lOPa，时间为I小时； 第二阶段: (4)真空时间过后，破真空至标准大气压下，真空浸溃缸加温至75-80°C保持I小时； (5)加温时间过后持续抽真空保持真空浸溃缸真空度为lOPa，时间为...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈肥生，罗运林，史贤豹，叶小虎，王明明，
申请(专利权)人：芜湖市金诚电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：