一种高导热高击穿电压集成式LED制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高导热高击穿电压集成式LED，包括基板，其特征在于：还包括LED芯片、金线、线路层和荧光胶，在基板的顶部设置有若干凹杯，在基板的顶部设置有线路层，所述LED芯片固晶与凹杯中，并通过金线与线路层对应接点连接组成回路，在凹杯中填充有覆盖有LED芯片的荧光胶，在凹杯开口位置有一层弧形硅胶。本实用新型专利技术提供了一种导热系数较好，耐击穿系数较高，取光效果较好，利于反光和打线的高导热高击穿电压集成式LED。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种高导热高击穿电压集成式LED，包括基板，其特征在于：还包括LED芯片、金线、线路层和荧光胶，在基板的顶部设置有若干凹杯，在基板的顶部设置有线路层，所述LED芯片固晶与凹杯中，并通过金线与线路层对应接点连接组成回路，在凹杯中填充有覆盖有LED芯片的荧光胶，在凹杯开口位置有一层弧形硅胶。本技术提供了一种导热系数较好，耐击穿系数较高，取光效果较好，利于反光和打线的高导热高击穿电压集成式LED。【专利说明】一种高导热高击穿电压集成式LED
本技术涉及一种LED基板，特别是涉及一种高导热高击穿电压集成式LED。
技术介绍
目前LED采用集成式多芯片为一个国内发展的趋势，但其耐压不足，需另外安装驱动电路以符合安规，这样对使用的人并不方便，目前LED芯片直接贴于电路板或铝基板上，打线后连成回路，在于边缘以划胶或黏合框架将芯片周围成为一较低的凹槽，再将与萤光粉混合的胶材倒入凹槽内做成集成式LED。现今的集成式LED如上图所示有几个问题:1、采用的硅胶胶亮极大如采用软的硅胶吸湿率很高，于高湿环境下硅胶吸湿后会膨胀造成质量问题。2、因于芯片上方灌注硅胶形成一平面，因平面即产生一内反射，平面对比于好的曲面光取出可差异5-10%的亮度。3、由于散热考虑许多集成式LED均采用金属基板又因为要容置LED故于绝缘层上挖出灯杯开恐故对高压耐受能力均不足。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供了一种导热系数较好，耐击穿系数较高，取光效果较好，利于反光和打线的高导热高击穿电压集成式LED。为了解决上述问题，本技术所采取的技术方案是:一种高导热高击穿电压集成式LED，包括基板，其特征在于:还包括LED芯片、金线、线路层和荧光胶，在基板的顶部设置有若干凹杯，在基板的顶部设置有线路层，所述LED芯片固晶与凹杯中，并通过金线与线路层对应接点连接组成回路，在凹杯中填充有覆盖有LED芯片的突光胶,在凹杯开口位置有一层弧形娃胶。前述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于:在凹杯内设置有一层铜材，LED芯片放置于铜材上。前述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于:在基板的底部设置有一层铜箔。前述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于:所述基板采用玻璃纤维板制成。前述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于:在线路层上电镀有银面前述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于:在凹杯铜材表面电镀有一层银面。前述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于:所述基板导热率为1-1.5w/mK，击穿电压为 4.5KV。本技术的有益效果是:本技术高导热高击穿电压集成式LED的基板导热率为1-1.5w/mK，击穿电压为4.5KV，大幅度提高了 LED的使用寿命。同时本技术在凹杯开口位置有一层弧形硅胶，硅胶采用曲光面而不在是一层平面设计，取光使用效果较好，在线路层和凹杯铜材上设置有银面，有利于反光和打线。【专利附图】【附图说明】图1是本技术高导热高击穿电压集成式LED结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术作进一步的描述。如图1所示，一种高导热高击穿电压集成式LED，包括基板1、LED芯片2、金线3、线路层4和荧光胶7，所述基板I采用玻璃纤维板制成，导热率为1-1.5w/mK，击穿电压为4.5KV。在基板I的顶部设置有若干凹杯，在基板I的顶部设置有线路层4，在基板I的底部设置有一层铜箔6。在凹杯内设置有一层铜材5，所述LED芯片2固晶与凹杯中，并通过金线3与线路层4对应接点连接组成回路，在凹杯中填充有覆盖有LED芯片的荧光胶7，在凹杯开口位置有一层弧形硅胶8。在线路层4上电镀有银面，在凹杯铜材5表面电镀有一层银面。本技术高导热高击穿电压集成式LED的基板I导热率为1-1.5w/mK，击穿电压为4.5KV，大幅度提高了 LED的使用寿命。同时本技术在凹杯开口位置有一层弧形硅胶7，硅胶采用曲光面而不在是一层平面设计，取光使用效果较好，在线路层4和凹杯铜材上设置有银面，有利于反光和打线。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。【权利要求】1.一种高导热高击穿电压集成式LED，包括基板，其特征在于:还包括LED芯片、金线、线路层和荧光胶，在基板的顶部设置有若干凹杯，在基板的顶部设置有线路层，所述LED芯片固晶与凹杯中，并通过金线与线路层对应接点连接组成回路，在凹杯中填充有覆盖有LED芯片的突光胶，在凹杯开口位置有一层弧形娃胶。2.根据权利要求1所述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于:在凹杯内设置有一层铜材，LED芯片放置于铜材上。3.根据权利要求2所述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于:在基板的底部设置有一层铜箔。4.根据权利要求3所述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于:所述基板采用玻璃纤维板制成。5.根据权利要求4所述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于:在线路层上电镀有银面。6.根据权利要求5所述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于:在凹杯铜材表面电镀有一层银面。7.根据权利要求6所述的一种高导热高击穿电压集成式LED，其特征在于:所述基板导热率为1-1.5w/mK，击穿电压为4.5KV。【文档编号】H01L33/58GK203377250SQ201320338921【公开日】2014年1月1日 申请日期:2013年6月13日 优先权日:2013年6月13日 【专利技术者】傅立铭 申请人:苏州金科信汇光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高导热高击穿电压集成式LED，包括基板，其特征在于：还包括LED芯片、金线、线路层和荧光胶，在基板的顶部设置有若干凹杯，在基板的顶部设置有线路层，所述LED芯片固晶与凹杯中，并通过金线与线路层对应接点连接组成回路，在凹杯中填充有覆盖有LED芯片的荧光胶，在凹杯开口位置有一层弧形硅胶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：傅立铭，
申请(专利权)人：苏州金科信汇光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：