一种光刻设备，具有多个独立可控辐射源单元，每个独立可控辐射源单元提供图案化的辐射束的一部分；控制系统，配置成监测每一个独立可控辐射源单元的性能参数；和更换机构，配置成在控制系统确定判断条件已经基于监测的性能参数被满足时以替代单元更换独立可控辐射源单元中的一个。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种光刻设备，具有多个独立可控辐射源单元，每个独立可控辐射源单元提供图案化的辐射束的一部分；控制系统，配置成监测每一个独立可控辐射源单元的性能参数；和更换机构，配置成在控制系统确定判断条件已经基于监测的性能参数被满足时以替代单元更换独立可控辐射源单元中的一个。【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求于2011年4月21日递交的美国临时申请第61/477，980号的权益，在此通过引用将其全部内容并入本文。
本专利技术涉及一种光刻设备、一种用于维护光刻设备的方法以及一种制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是施加期望的图案到衬底或一部分衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(1C)、平板显示器以及具有精细特征的其它装置或结构的制造中。在传统的光刻设备中，可以将称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生对应于1C、平板显示器或其它装置的单层的电路图案。可以将这一图案转移到衬底(例如硅晶片或玻璃板)(的一部分)上，例如经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。除了电路图案，图案形成装置还可以用于产生其它图案，例如彩色滤光片图案或点矩阵。替代传统的掩模，图案形成装置可以包括图案形成阵列，该图案形成阵列包括产生电路或其它可应用图案的独立可控元件的阵列。与传统的基于掩模的系统相比，这样的“无掩模”系统的优点是，可以更加快速地设置和/或更换图案，且成本较小。因此，无掩模系统包括可编程图案形成装置(例如空间光调制器、对比度装置等)。使用独立可控元件的阵列对可编程图案形成装置进行(例如以电子方式或光学方式)编程，用于形成期望的图案化的束。可编程图案形成装置的类型包括微反射镜阵列、液晶显示器(LCD)阵列、光栅光阀阵列、自发射对比度装置的阵列等。
技术实现思路
在使用多个例如以阵列形式布置的自发射对比度装置提供图案化辐射束的光刻设备中，可以使用相对大量的自发射对比度装置。通常，光刻设备内安装的自发射对比度装置数量越大，则每个时刻在衬底上可以投影图案的区域越大。因此，自发射对比度装置的数量越大，可以预期的光刻设备的生产率越高。然而，可以包括辐射源的自发射对比度装置可使用的寿命是相当有限的。当自发射对比度装置停止正确地运行时，其可能在通过图案化辐射束在衬底上形成的图案中导致错误。由此，光刻设备的操作停止，例如以便更换自发射对比度装置的阵列或单个的自发射对比度装置。这个过程花费相当多的时间，因为操作者将需要进入光刻设备的相关部分，移除已有的自发射对比度装置的阵列或单个自发射对比度装置，安装新的阵列或新的自发射对比度装置，执行对准过程以便确保自发射对比度装置的阵列或单个自发射对比度装置正确地对准，重新组装所有被移除的部件以提供对自发射对比度装置的阵列的访问并在可以重新开始操作光刻设备之前执行校准过程。光刻设备内的自发射对比度装置的数量越大，则自发射对比度装置中的任一个失效的可能性越大，由此导致执行不希望的快速的且有效的更换操作。由此，在光刻设备内可以有效地使用的自发射对比度装置的数量存在限制。尤其地，虽然通过使用更大数量的自发射对比度装置可以提高光刻设备的名义上的生产率，但是如上所述，在实践中光刻设备的总的生产率可能由于更换已经失效的自发射对比度装置损失的时间而降低。因此，例如期望提供一种光刻设备，其使用自发射对比度装置，其中光刻设备的生产率可以提高，维持或不会显著降低。根据本专利技术一个实施例，提供一种光刻设备，配置成将图案化辐射束投影到衬底上，包括:多个辐射源单元，每个辐射源单元包括配置成提供图案化辐射束的一部分的辐射源；控制系统，配置成监测辐射源单元的至少一个性能参数；和更换机构，配置成响应于来自控制系统的指令操作以使用替代单元来更换辐射源单元中的至少一个；其中控制系统配置成如果判断条件(criterion)基于辐射源单元之一的所监测的性能参数被满足，则控制更换机构更换至少一个辐射源单元。根据本专利技术一个实施例，提供一种用于维护光刻设备的方法，光刻设备包括多个辐射源单元，每个辐射源单元包括配置成提供将被投影到衬底上的图案化辐射束的一部分的辐射源，所述方法包括:监测辐射源单元的至少一个性能参数；和基于监测的结果使用更换机构以替代单元更换辐射源单元中的至少一个；其中更换机构操作以在判断条件基于辐射源单元之一的所监测的性能参数被满足时更换辐射源单元。根据本专利技术一个实施例，提供一种器件制造方法，包括:使用光刻设备将图案化辐射束投影到相继的衬底上；和在使用光刻设备期间使用此处所述的方法维护光刻设备。【专利附图】【附图说明】将参照示意的附图仅通过示例描述本专利技术的实施例，在附图中相应的参考标记可以表示相应的元件，并且在附图中:图1显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的一部分；图2显示根据本专利技术的实施例的图1的光刻设备的一部分的俯视图；图3显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的一部分的高度示意透视图；图4显示根据本专利技术的实施例通过根据图3的光刻设备投影到衬底上的投影的示意俯视图；图5示意地示出根据本专利技术的实施例的光刻设备的一部分；图6示出图5中示出的布置的变形形式；和图7示出图5中示出的布置的另一变形形式。【具体实施方式】本专利技术的一个实施例涉及一种光刻设备，其可以包括可编程图案形成装置，该可编程图案形成装置可以例如由自发射对比度装置的阵列构成。关于这样的光刻设备的其他信息可以在PCT专利申请出版物第W02010/032224A2号中找出，其通过引用将其全部内容并入本文。图1示意地示出光刻设备的一部分的示意的侧向剖视图。在该实施例中，光刻设备具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件，如下面进一步讨论的，但是这不是必须的。光刻设备I包括用以保持衬底的衬底台2和用以在达6个自由度上移动衬底台2的定位装置3。衬底可以是涂覆有抗蚀剂的衬底。在一个实施例中，衬底是晶片。在一个实施例中，衬底是多边形(例如矩形)衬底。在一个实施例中，衬底是玻璃板。在一个实施例中，衬底是塑料衬底。在一个实施例中，衬底是箔片(foil)。在一个实施例中,光刻设备适于棍到棍(roll-to-roll)制造。光刻设备I还包括多个独立可控自发射式对比度装置4，其配置成发射多个束。在一个实施例中，自发射式对比度装置4是辐射发射二极管，例如发光二极管(LED)、有机LED (OLED)、聚合物LED (PLED)，或激光二极管(例如，固态激光器二极管)。在一实施例中，每一独立可控元件4是蓝紫激光二极管(例如Sanyo型号n0.DL-3146-151)。这样的二极管可以由诸如Sanyo, Nichia, Osram和Nitride等公司供应。在一实施例中，二极管发射例如具有约365nm或约405nm的波长的UV辐射。在一实施例中，二极管可以提供从0.5-200mff的范围选出的输出功率。在一实施例中，激光二极管(裸管芯)的尺寸是从100-800微米的范围选出的。在一实施例中，激光二极管具有从0.5-5平方微米的范围选出的发射面积。在一实施例中，激光二极管具有从5-44度的范围选出的发散角。在一实施例中，二极管具有用以提供大于或等于大约6.4X IO8W/(m2.sr)的总的亮度的配置(例如，发射面积、发散角、输出功率等)。自发射式对比度装置4布本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·布里克尔，M·胡克斯，T·凯蒂，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：
国别省市：
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