衬底膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种衬底膜及其制造方法。本发明专利技术可以提供一种展现优异的耐热性和尺寸稳定性的衬底膜，所述衬底膜具有优异的应力松弛，由此防止由残余应力所导致的晶片破裂，可以抑制由在晶片加工过程中的非均匀压力施加而导致的晶片损坏或飞溅等，并且具有优异的切割性。因此，本发明专利技术的衬底膜可以有效地用作各种晶片的加工过程（如切割、背面研磨或拾取）中的加工片。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】衬底膜及其制备方法
本专利技术涉及一种衬底膜及其制备方法，涉及一种用于加工包括上述衬底膜的晶片的压敏粘合片、以及使用所述压敏粘合片的晶片加工方法。
技术介绍
半导体器件的制造方法包括背面研磨工序或切割工序等，并且使用压敏粘合片例如晶片表面保护片或切割片。近来，由于对更小、更轻的半导体器件的需求日益增加，这种用于加工晶片的压敏粘合片的性能变得更加重要。例如，为了实现与仅在晶片的一个表面上形成电路的常规方法相比更高的集成度，近来，试图在晶片的两个表面上形成电路。同样，为了在晶片的两个表面上形成电路，应该在贴附有用于加工晶片的片材的状态下进行高温加工工序。因此，用于加工晶片的片材需要优异的耐热性和高温下的尺寸稳定性。然而，当使用具有高熔点的硬质衬底以简单地确保耐热性或尺寸稳定性时，保护晶片的功能退化且应力松弛下降，从而可能损坏晶片。此外，用于加工晶片的片材衬底应具有优异的应力松弛且不具有缺陷例如白点（fisheye）等。即，当应力松弛下降或者在衬底上出现突起物时，由于残余应力或在该过程中施加的非均匀压力而导致可能破坏晶片。上述要求随着对大尺寸的晶片的需求的增加而更高。此外，用于加工晶片的片材还需要优异的可切割性。当可切割性降低时，在晶片的加工过程中可能会出现切割失败，在这种情况下，加工晶片的过程不连续地进行。因此，当用于加工晶片的片材的可切割性下降时，工艺效率可能会降低且可能会损坏晶片。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是提供一种衬底膜、制造衬底膜的方法、用于加工包括衬底膜的晶片的压敏粘合片、以及加工晶片的方法。技术方案本专利技术的一个方面提供了衬底膜（substratefilm），其可用作在晶片加工过程中使用的各种压敏粘合片的衬底。根据本专利技术的一个示例性实施方案的衬底膜包括无溶剂组合物的固化物，所述无溶剂组合物包含(甲基)丙烯酸系聚合物组分和具有高的玻璃化转变温度的单体组分，所述(甲基)丙烯酸系聚合物组分包含作为聚合单元的(甲基)丙烯酸酯系单体且在聚合物的侧链或末端上具有光反应性基团。这种衬底膜在固化之后具有-20℃（250K）以上的玻璃化转变温度，在23℃时，韧度为10kg·mm至250kg·mm，这可向衬底膜提供合适的物理性能。衬底膜可以用作保护膜的衬底膜，以保护或固定晶片。本专利技术的衬底膜可以通过无溶剂组合物的固化来制备，该无溶剂组合物适于制造需要具有光学透明性，和/或具有大的厚度，但厚度均一性优良的薄膜。固化而形成衬底膜的组合物是无溶剂的。无溶剂的组合物是指，不包含溶剂例如有机溶剂或水性溶剂等的组合物。当使用所述无溶剂组合物形成衬底膜时，可提高衬底膜的制造工艺效率，可以制造不具有实质厚度偏差的均匀的衬底膜。此外，当除去溶剂时，可以防止由溶剂的挥发所导致的气泡的产生或平整度（leveling）的下降，并且在某些情况下，可以有效地制造具有大的但均匀的厚度的衬底膜。此外，由于不需要挥发溶剂，在此过程中可不产生污染。本专利技术的无溶剂组合物包括(甲基)丙烯酸系聚合物组分，所述(甲基)丙烯酸系聚合物组分包含作为聚合单元的(甲基)丙烯酸酯系单体且在聚合物的侧链或末端上具有光反应性基团。由于包含光反应性基团，由所述组合物制造的衬底膜的光学特性得到增强，且随着凝胶含量的增加，物理性能也得到了提高。在一个实例中，在无溶剂组合物中所包含的(甲基)丙烯酸系聚合物组分通过本体聚合（bulkpolymerization）制备，特别是根据本体聚合的部分聚合的方式来形成。即，在本体聚合中使用的部分单体可以以未反应的单体状态残留。例如，聚合物组分可包括单体混合物——包含(甲基)丙烯酸酯系单体和具有第一反应性基团的共聚单体——的本体聚合物；和与在本体聚合产物中的第一反应性基团键合的化合物，从而提供光反应性基团。在一个实例中，当包含(甲基)丙烯酸酯系单体和具有第一反应性基团的共聚单体的单体混合物进行部分聚合时，在单体混合物中所包含的一些单体进行聚合，从而形成聚合物组分，而在组合物中可包含其他没有进行聚合的单体。在本专利技术中，根据需要，在本体聚合工序之后，可进一步将单体混入聚合物中。在单体混合物进行部分聚合之后，聚合物组分中包括(甲基)丙烯酸酯系单体和具有第一反应性基团的共聚单体进行共聚的且第一反应性基团存在于聚合物的侧链或末端的聚合物组分。因此，通过由第一反应性基团引入光反应性基团，可以制备在聚合物的侧链或末端上具有光反应性基团的聚合物组分。在此，光反应性基团的引入可以通过如下方法进行：将同时具有能够与第一反应性基团反应的官能团（下文也称为“第二反应性基团”）和光反应性基团的化合物与本体聚合物的部分聚合物进行反应。本文所用的术语“聚合物组分”可以是指，包括至少两种聚合形式的单体的高分子量组分，例如，低聚物组分或聚合物组分。此外，聚合物组分还包括部分聚合的单体，并且应当理解该组分还包括未反应的单体组分。此外，在此，光反应性基团可以是指，所有能够通过电磁辐射来诱导聚合或交联反应的官能团，且该官能团的实例可以是(甲基)丙烯酰基，但并不限于此。在此，例如电磁辐射可以是微波、红外线（IR）、紫外线（UV）、X射线、γ射线，或诸如α粒子束、质子束、中子束或电子束的粒子束，并且在一个实例中所述电磁辐射可以是紫外线。本专利技术的无溶剂组合物可包括含有光反应性基团的聚合物组分，从而形成光固化组合物。在单体混合物中所包含的(甲基)丙烯酸酯系单体可以是，但不特别限于，例如(甲基)丙烯酸烷基酯。所述(甲基)丙烯酸烷基酯可以包括具有1至14个碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯中的一种或至少两种，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯和(甲基)丙烯酸十四烷基酯。此外，对于(甲基)丙烯酸酯系单体，具有高的玻璃化转变温度的单体例如丙烯酸异冰片酯也包括在内。此外，在此，具有第一反应性基团的共聚单体可以是，例如能够与(甲基)丙烯酸酯系单体进行共聚的单体，所述单体在聚合之后可在聚合物的侧链或末端上提供第一反应性基团。这种第一反应性基团可以是，但不限于，选自羟基、羧基、异氰酸酯基团、氨基和环氧基中的至少一种，并且在本专利技术的一个示例性实施方案中，第一反应性基团可以是羟基或羧基，但本专利技术并不限于此。在本领域中，与(甲基)丙烯酸酯系单体进行共聚，从而在聚合物上提供这种反应性基团的各种单体是已知的，并且可以不受限制地使用。例如，作为第一反应性基团的具有羟基的共聚单体可以是2-羟乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羟丙基(甲基)丙烯酸酯、4-羟丁基(甲基)丙烯酸酯、6-羟己基(甲基)丙烯酸酯、8-羟辛基(甲基)丙烯酸酯、2-羟基乙二醇(甲基)丙烯酸酯或2-羟基丙二醇(甲基)丙烯酸酯等，作为第一反应性基团的具有羧基的共聚单体可以是(甲基)丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙酸、3-(甲基)丙烯酰氧基丙酸、4-(甲基)丙烯酰氧基丁酸、丙烯酸二聚体、衣康酸、马来酸或马来酸酐等。单体混合物可以包括例如70至99重量份的(甲基)丙烯酸酯系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.02.14 KR 10-2011-0012989;2012.02.14 KR 10-2011.一种衬底膜，其在23℃下具有10kg·mm至250kg·mm的韧度，所述衬底膜具有80％至100％的凝胶含量并且具有10MPa至200MPa的模量，所述衬底膜包括无溶剂组合物的固化物，该无溶剂组合物在25℃下具有500cps至30000cps的粘度并且包含：(甲基)丙烯酸系聚合物组分，其包含作为聚合单元的(甲基)丙烯酸酯系单体且在聚合物的侧链或末端上具有光反应性基团；和35至300重量份的单体组分，其具有的玻璃化转变温度为20℃至100℃，相对于100重量份的(甲基)丙烯酸系聚合物组分计。2.权利要求1所述的衬底膜，其中所述(甲基)丙烯酸系聚合物组分具有低的玻璃化转变温度，并且在固化之前以部分聚合的状态包含在无溶剂组合物中。3.权利要求1所述的衬底膜，其中所述固化物的玻璃化转变温度为250K或更高。4.权利要求1所述的衬底膜，其中所述(甲基)丙烯酸系聚合物组分包含：单体混合物的本体聚合产物，所述单体混合物包含(甲基)丙烯酸酯系单体和具有第一反应性基团的共聚单体；和以与本体聚合物中的第一反应性基团键合的状态提供光反应性基团的化合物。5.权利要求1所述的衬底膜，其中所述光反应性基团是(甲基)丙烯酰基。6.权利要求4所述的衬底膜，其中所述(甲基)丙烯酸酯系单体包含(甲基)丙烯酸烷基酯。7.权利要求4所述的衬底膜，其中所述第一反应性基团是选自羟基、羧基、异氰酸酯基团、氨基和环氧基中的至少一种。8.权利要求4所述的衬底膜，其中所述单体混合物包含70至99重量份的(甲基)丙烯酸酯系单体和1至30重量份的具有第一反应性基团的共聚单体。9.权利要求4所述的衬底膜，其中所述提供光反应性基团的化合物是选自下列中的至少一种化合物：下述化学式1的化合物；下述化学式2的化合物；下述化学式3的化合物；多官能异氰酸酯化合物和下述化学式4的化合物的反应产物；多官能异氰酸酯化合物、多元醇化合物和下述化学式4的化合物的反应产物：[化学式1]R1-NCO[化学式2][化学式3]Si(R4)n(R5)m(R6)l[化学式4]其中，R1是(甲基)丙烯酰氧基取代的烷基、(甲基)丙烯酰氧基烷基取代的烷基或烯基苯基取代的烷基；(甲基)丙烯酰基；(甲基)丙烯酰氧基；或烯基，R2是氢或烷基，R3是氢或缩水甘油基，R4是(甲基)丙烯酰氧基烷基，R5是卤原子，R6是烷基，n+m+l是4，n和m各自独立地为1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱孝叔，S·R·金，沈廷夑，张锡基，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：
国别省市：