本发明专利技术的硅氧烷化合物用下述通式（1）表示。（式（1）中，X分别独立地用X1或X2表示，X的至少1个为X2，X1和X2中，R1～R5分别独立地为氢原子、碳原子数1～8的烷基、烯基或炔基、苯基或吡啶基，碳原子任选被氧原子取代，结构中任选包含醚键、羰基或酯键。m、n分别独立地为1～10的整数，Y为特定的交联基团。）。与以往的倍半硅氧烷相比，本发明专利技术的硅氧烷化合物在低温下具有流动性，能够容易地成型。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的硅氧烷化合物用下述通式（1）表示。（式（1）中，X分别独立地用X1或X2表示，X的至少1个为X2，X1和X2中，R1～R5分别独立地为氢原子、碳原子数1～8的烷基、烯基或炔基、苯基或吡啶基，碳原子任选被氧原子取代，结构中任选包含醚键、羰基或酯键。m、n分别独立地为1～10的整数，Y为特定的交联基团。）。与以往的倍半硅氧烷相比，本专利技术的硅氧烷化合物在低温下具有流动性，能够容易地成型。【专利说明】硅氧烷化合物及其固化物
本专利技术涉及具有耐热性的树脂、尤其是硅氧烷系化合物及其固化物。使本专利技术的硅氧烷化合物固化而成的固化物能够用于半导体用途等要求耐热性的各种封装材料、粘接剂等，以及在无色透明情况下还能够用于光学用封装材料、透镜材料或光学用薄膜等。
技术介绍
发光二级管(Light Emitting Diode:LED)等半导体用封装材料被要求耐受动作中的半导体放热的耐热性。以往，作为耐热性树脂的环氧树脂或有机硅被用作半导体的封装材料。然而，在用于与使用了硅(Si)的半导体相比耐电压性高的、以使用了碳化硅(SiC)的高性能半导体为代表的高性能半导体时，高性能半导体的放热量大，因此利用了以往的环氧树脂或有机硅的封装材料的耐热性不充分，存在在半导体的动作中容易产生热分解的问题。与环氧树脂或有机硅相比耐热性高的树脂可列举出聚酰亚胺。专利文献I中公开了将聚酰亚胺前体组合物膜加热至230°C~300°C使其固化而形成的半导体元件的表面保护膜。然而，聚酰亚胺前体组合物在室温(20°C)附近的低温区域是固体，因此存在成型性贫乏的问题。另外，作为具有耐热性的材料，例如可列举出使烷基三烷氧基硅烷等水解缩聚而成的网络状聚硅氧烷即倍半硅氧烷。对于倍半硅氧烷，能够进行活用无机物即硅氧烷骨架所具有的高耐热性和与其键合的有机基团的特性的分子设计，其用于各种用途。另外，倍半硅氧烷在常温下为液体，能够进行从基 材表面流过后、利用加热或紫外线照射而缩聚并固化的灌封加工(potting processes)。倍半硅氧烷的合成方法例如在专利文献2~5、非专利文献I~6中被公开。对使用了兼具耐热性和成型性的倍半硅氧烷的封装材料进行了各种研究。然而，尚未获得即使在250°C以上的高温下经历数千小时加热也不会劣化的材料。对半导体等进行封装时，能够灌封加工的在常温附近为液体的倍半硅氧烷的合成中大多使用氢化硅烷化反应，其存在如下问题:通过氢化硅烷化反应形成的倍半硅氧烷末端的亚烷基链、例如亚丙基链成为耐热性劣化的原因(参照非专利文献5和非专利文献6)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平10-270611号公报专利文献2:日本特开2004-143449号公报专利文献3:日本特开2007-15991号公报专利文献4:日本特开2009-191024号公报专利文献5:日本特开2009-269820号公报非专利文献非专利文献1: 1.Hasegawa et al., Chem.Lett., pp.1319 (1988)非专利文献2:V.Sudarsanan et al., J.0rg.Chem., pp.1892(2007)非专利文献3:Μ.A.Esteruelas, et al., Organometallies, pp.3891 (2004)非专利文献4:A.Mori et al., Chemistry Letters, pp.107 (1995)非专利文献5:J.Mater.Chem.，2007，17，3575-3580非专利文献6:Proc.0f SPIE Vol.6517651729-9
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于，获得与以往的倍半硅氧烷相比在更低温下具有流动性、容易成型的硅氧烷化合物。用于解决问题的方案本专利技术人等发现，通过使特定的交联基团与特定的硅氧烷骨架键合而得到的硅氧烷化合物在60°C以下为液体，通过在150°C以上、350°C以下加热能够获得固化物，即使低温也显示良好的成型性，从而完成了本专利技术。即，本专利技术如下所示。一种用通 式(I)表示的硅氧烷化合物。【权利要求】1.一种用通式(I)表示的硅氧烷化合物， 2.根据权利要求1所述的硅氧烷化合物，其中，R1~R5全部为甲基，m=l~3的整数，n=2~3的整数。3.一种固化物，其是权利要求1或权利要求2所述的硅氧烷化合物的交联基团反应而得到的。4.一种封装材料，其包含权利要求3所述的固化物。【文档编号】C08G77/26GK103492464SQ201280018915 【公开日】2014年1月1日 申请日期:2012年4月17日 优先权日:2011年4月20日【专利技术者】本城启司, 井手利久, 赤松佳则, 江口弘, 中辻惇也, 松浦诚, 小川毅, 山中一广 申请人:中央硝子株式会社本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：本城启司，井手利久，赤松佳则，江口弘，中辻惇也，松浦诚，小川毅，山中一广，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：
国别省市：
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