应用于主从设备的通信装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种应用于主从设备的通信装置，包括：一个主设备、编号1至M的M个从设备和编号1至2M的2M个N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET；且针对第i从设备，第2i-1个N沟道MOSFET的第一端分别与主设备的串行时钟线SCL接口和电阻R1的一端相连，第二端与第i从设备的SCL接口相连，第三端与主设备的第i使能控制接口相连；第2i个N沟道MOSFET的第一端分别与主设备的串行数据线SDA接口和电阻R2的一端相连，第二端与第i从设备的SDA接口相连，第三端与主设备的第i使能控制接口相连；电阻R1和电阻R2的另一端均与第一直流电源相连。通过本实用新型专利技术中的应用于主从设备的通信装置，可以实现对于只具有一个TWI接口的主设备与多个地址相同的从设备进行通信。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
应用于主从设备的通信装置
本技术涉及利用两线式串行接口 TWI (Two Wire Serial Interface)总线进行通信的
，特别涉及一种应用于主从设备的通信装置。
技术介绍
在利用TWI总线进行主从通信的系统中，主设备的一个TWI接口通过TWI总线只能接一个从设备或多个不同地址的从设备，即对于只具有一个TWI接口的主设备只能与一个从设备或多个不同地址的从设备进行通信。而当主设备的一个TWI接口通过TWI总线接多个相同地址的从设备时，会因从设备的地址冲突而无法进行正常通信。因此，对于只具有一个TWI接口的主设备，是无法与多个地址相同的从设备进行通信的。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种应用于主从设备的通信装置，以使得对于只具有一个TWI接口的主设备，可以与多个地址相同的从设备进行通信。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:—种应用于主从设备的通信装置,包括:一个主设备、编号I至M的M个从设备和编号I至2M的2M个N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET ；针对第i从设备，I 第2i_l个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行时钟线SCL接口和电阻Rl的一端相连，第二端与所述第i从设备的SCL接口相连，第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连；第2i个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行数据线SDA接口和电阻R2的一端相连，第二端与所述第i从设备的SDA接口相连，第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连；所述电阻Rl和电阻R2的另一端均与第一直流电源相连；其中，所述M、i均为自然数，所述SCL接口和SDA接口均属于两线式串行接口 TWI，且所述第一直流电源为所述主设备的工作电源。优选的，所述装置还包括编号I至M的M个电阻R3;针对第i个电阻R3， 所述第i个电阻R3的一端与所述第i使能控制接口、第2i_l个N沟道MOSFET的第三端和第2i个N沟道MOSFET的第三端的公共端相连，另一端接地。优选的，所述N沟道MOSFET的第一端为漏极、第二端为源极、第三端为栅极。优选的，所述装置还包括:编号I至M的M个电阻R4和编号I至M的M个电阻R5 ；针对第i个电阻R4， 所述第i个电阻R4的一端分别与所述第i从设备的SCL接口和所述第2i_l个N沟道MOSFET的源极相连，另一端与第二直流电源相连；针对第i个电阻R5，l≤i≤M:所述第i个电阻R5的一端分别与所述第i从设备的SDA接口和所述第2i个N沟道MOSFET的源极相连，另一端与所述第二直流电源相连；其中，所述第二直流电源为第i从设备的工作电源。优选的，所述N沟道MOSFET的第一端为源极、第二端为漏极、第三端为栅极。优选的，所述装置还包括:编号I至M的M个电阻R4和编号I至M的M个电阻R5 ；针对第i个电阻R4，l≤i≤M:所述第i个电阻R4的一端分别与所述第i个从设备的SCL接口和所述第2i_l个N沟道MOSFET的漏极相连，另一端与第二直流电源相连；针对第i个电阻R5，I≤i≤M:所述第i个电阻R5的一端分别与所述第i个从设备的SDA接口和所述第2i个N沟道MOSFET的漏极相连，另一端与所述第二直流电源相连；其中，所述第二直流电源为第i从设备的工作电源。优选的，所述装置还包括:编号I至2M的2M个二极管；针对第P个二极管 ，P为自然数，且I≤P≤2M:第P个二极管的阳极与第P个N沟道MOSFET的源极相连、阴极与所述第P个N沟道MOSFET的漏极相连。由上述的技术方案可以看出，在本技术实施例中，每一个从设备均通过2个N沟道MOSFET与主设备相连，其中第i从设备通过第21-l个N沟道MOSFET和第2i个N沟道MOSFET与主设备相连；针对第i从设备，默认情况下，第21-l个N沟道MOSFET和第2i个N沟道MOSFET的第一端与第二端间均不导通，此时主设备并不能和第i从设备进行通信；当主设备需和第i从设备进行通信时，主设备将从第i使能控制接口输出高电平，由于第21-l个N沟道MOSFET和第2i个N沟道MOSFET的第三端均与第i使能控制接口相连，因此此时第i使能控制接口所输出的高电平将使第21-l个N沟道MOSFET和第2i个N沟道MOSFET的第一端与第二端均导通，从而使得主设备可与第i从设备进行通信。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例所提供的应用于主从设备的通信装置的电路图；图2为本技术实施例所提供的应用于主从设备的通信装置的另一电路图；图3为本技术实施例所提供的应用于主从设备的通信装置的又一电路图；图4为本技术实施例所提供的应用于主从设备的通信装置的另一电路图；图5为本技术实施例所提供的应用于主从设备的通信装置的又一电路图；图6为本技术实施例所提供的TWI时序图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术公开了一种应用于主从设备的通信装置，该装置包括:一个主设备、编号I至M的M个从设备和编号I至2M的2M个N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)；其中，编号I至M的M个从设备分别为第一从设备、第二从设备直至第M从设备；编号I至2M的2M个N沟道MOSFET分别为第一个N沟道M0SFET、第二个N沟道MOSFET直至第2M个N沟道MOSFET ；具体的，针对第i从设备，i的取值介于I至M之间，且包括I和M:第2i_l个N沟道MOSFET的第一端与主设备的串行时钟线SCL (Serial clockline)接口和电阻Rl的一端相连，第二端与第i从设备的SCL接口相连，第三端与主设备的第i使能控制接口相连；第2i个N沟道MOSFET第一端分别与主设备串行数据线SDA(Serial Date Line)接口和电阻R2的一端相连，第二端与第i从设备的SDA接口相连，第三端与主设备的第i使能控制接口相连；更具体的，当i取值为I时，如图1所示，第I个N沟道MOSFET (11)的第一端分别与主设备12的SCL接口和电阻Rl (13)的一端相连，第二端与第I从设备14的SCL接口相连，第三端与主设备12的第I使能控制接口相连；第2个N沟道MOSFET (15)的第一端分别与主设备12的SDA接口和电阻R2 (16)的一端相连，第二端与第I从设备14的SDA接口相连，第三端与主设备12的第I使能控制接口相连；i的取值依此类推，当i取值为M时，第2M-1个N沟道MOSFET (17)的一端分别与主设备12的SCL接口本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于主从设备的通信装置，其特征在于，包括：一个主设备、编号1至M的M个从设备和编号1至2M的2M个N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET；针对第i从设备，1≤i≤M：第2i?1个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行时钟线SCL接口和电阻R1的一端相连，第二端与所述第i从设备的SCL接口相连，第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连；第2i个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行数据线SDA接口和电阻R2的一端相连，第二端与所述第i从设备的SDA接口相连，第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连；所述电阻R1和电阻R2的另一端均与第一直流电源相连；其中，所述M、i均为自然数，所述SCL接口和SDA接口均属于两线式串行接口TWI，且所述第一直流电源为所述主设备的工作电源。

【技术特征摘要】
1.一种应用于主从设备的通信装置，其特征在于，包括:一个主设备、编号I至M的M个从设备和编号I至2M的2M个N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET ； 针对第i从设备，I ^ i = 第21-l个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行时钟线SCL接口和电阻Rl的一端相连，第二端与所述第i从设备的SCL接口相连，第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连； 第2i个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行数据线SDA接口和电阻R2的一端相连，第二端与所述第i从设备的SDA接口相连，第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连； 所述电阻Rl和电阻R2的另一端均与第一直流电源相连； 其中，所述M、i均为自然数，所述SCL接口和SDA接口均属于两线式串行接口 TWI，且所述第一直流电源为所述主设备的工作电源。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括编号I至M的M个电阻R3; 针对第i个电阻R3，I大于i大于M: 所述第i个电阻R3的一端与所述第i使能控制接口、第2?-1个N沟道MOSFET的第三端和第2i个N沟道MOSFET的第三端的公共端相连，另一端接地。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述N沟道MOSFET的第一端为漏极、第二端为源极、第三端为栅极。4.根据权利要求3所述 的装置，其特征在于，还包括:编号I至M的M个电阻R4和编号I至M的M个电阻R5 ； 针对第i个...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗卫平，
申请(专利权)人：杭州威力克通信系统有限公司，
类型：实用新型
国别省市：