有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法，所述有源矩阵有机电致发光显示器件包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的多个像素单元，所述像素单元包括驱动区域和发光区域，所述驱动区域布置有至少两个薄膜晶体管；所述发光区域布置有通过所述薄膜晶体管驱动的有机电致发光结构；所述薄膜晶体管为顶栅极结构，包括：形成于所述衬底基板上的有源层；形成于所述有源层的远离所述衬底基板一侧的源、漏极；形成于所述源、漏极的远离所述有源层一侧，并覆盖整个所述驱动区域和所述发光区域的钝化层；形成于所述钝化层的远离所述源、漏极一侧的栅极。本发明专利技术有源矩阵有机电致发光显示器件提高薄膜晶体管导电性能，减少工艺制程。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，所述有源矩阵有机电致发光显示器件包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的多个像素单元，所述像素单元包括驱动区域和发光区域，所述驱动区域布置有至少两个薄膜晶体管；所述发光区域布置有通过所述薄膜晶体管驱动的有机电致发光结构；所述薄膜晶体管为顶栅极结构，包括：形成于所述衬底基板上的有源层；形成于所述有源层的远离所述衬底基板一侧的源、漏极；形成于所述源、漏极的远离所述有源层一侧，并覆盖整个所述驱动区域和所述发光区域的钝化层；形成于所述钝化层的远离所述源、漏极一侧的栅极。本专利技术有源矩阵有机电致发光显示器件提高薄膜晶体管导电性能，减少工艺制程。【专利说明】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种。
技术介绍
当前电子显示技术正显现蓬勃的发展态势，先进的液晶显示器(TFT-1XD)基本全面取代了传统的阴极射线管(CRT)，并正向第三代显示技术一有机电致发光器件(OLED)过渡。有机电致发光器件(OLED)作为新一代显示器件，因其具有薄而轻(0LED器件封装后厚度约为2_)、高对比度、快速响应、宽视角、高亮度、全彩色、耐低温、可以实现柔性显示、坚固等优点，在手机、个人电子助理、数码相机、车载显示、笔记本电脑、壁挂电视、电子纸以及军事领域的应用前景十分广阔。有机电致发光显示器件按驱动方式可以分为无源驱动OLED (Passive MatrixDriving，PM-0LED)和有源驱动0LED(Active Matrix Driving，AM-OLED)两种。其中PM-OLED结构简单、制造成本低廉，多用于信息量低的一般简单显示中；而AM-OLED —般采用多晶硅P-Si或者氧化物半导体(如研究和应用较为普遍的IGZ0)TFT作为开关元器件，实际上相当于在TFT-LCD的基础上形成有机电致发光层作为像素区，能够集合大量的显示信息并具备良好的发光和显示效果，因而在显示领域有取代TFT-1XD的可能。特别地，有机电致发光如果在形成在柔性基板上，还能实现柔性显示效果，将会极大改变人们对显示终端的认识，对显示领域产生深远影响。AM-OLED虽然具有美好的前景，但相比当前普遍应用到的TFT-1XD，其制备过程更复杂，对制作工艺要求更高。TFT-LCD是电场型器件，每个像素只需一个用作寻址开关的TFT即可；而AM-OLED是电流驱动的显示器件，其亮度与流有机发光层的电流成正比，因而除寻址开关外，还需要恒流驱动控制开关。所以，AM-OLED—般采用两个及两个以上的TFT器件构成像素电路，两个及两个以上TFT器件分别起开关和驱动作用。如图1所示即为有源矩阵有机电致发光器件的一种由两个TFT器件构成的像素电路的等效示意图。两个TFT器件中一个开关薄膜晶体管和一个驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管的栅极连接扫描线，源极连接数据线，漏极连接驱动薄膜晶体管的栅极；驱动薄膜晶体管的源极连接电源电压线，漏极连接有机发光二极管的第一电极。图2所示为传统的AM-OLED的结构示意图。如图2所示，传统的有源矩阵有机电致发光显示器件形成于衬底基板10上，并于衬底基板10上顺序形成栅极20、栅极保护层30、半导体有源层40、源极/漏极50、保护层60、平坦层70、阳极81、有机功能层82以及阴极83。其中，栅极经第一次构图工艺形成于衬底基板上，然后制作栅极保护层覆盖栅极和衬底基板的表面，接着，经第二次构图工艺在栅极保护层上形成有源层，之后，经第三次构图工艺在有源层的两侧形成源极和漏极。上述制作的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、栅极和漏极即构成薄膜晶体管；在制成薄膜晶体管之后，顺序制作保护层和平坦层覆盖于薄膜晶体管上，并经第四次构图工艺在保护层和平坦层上形成过孔。接着，经第五次构图工艺在平坦层上制作阳极，阳极经过过孔与薄膜晶体管得源极/漏极其中一端电性连接，在阳极制作完成后，在阳极表面制作有机功能层和阴极，这样即完成有源矩阵有机电致发光显示器件的制作。现有技术中所存在的问题主要有:AM-OLED中TFT的源、漏极和栅极分别位于有源层的两侧，由于有源层在靠近栅极的一侧表面形成电流通道，因此源、漏极需要经过半导体厚度这一低导电性区域而与电流通道相连，TFT导电性能受到影响；TFT的源、漏极和栅极分别位于有源层的两侧，而AM-OLED中每一像素单元有至少两个TFT，且其中一个TFT的栅极与另一个TFT的源、漏极需要通过钝化层上的过孔进行连接，因而AM-OLED制作过程中有源层和源、漏极需要分别经过两次构图工艺形成，不能采用半色调掩膜(Half-tone Mask)工艺一次形成，导致AM-OLED的工艺制程增加；此外，有机致电发光层需要在完成TFT制程后再经过多次工艺形成，增加了工艺制程复杂性。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种有源矩阵有机电致发光显示器件，其能够很大程度上减少工艺制程，提高TFT导电性能。本专利技术所提供的技术方案如下:一种有源矩阵有机电致发光显示器件，包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的多个像素单元，所述像素单元包括驱动区域和发光区域，其中所述驱动区域布置有至少两个薄膜晶体管；所述发光区域布置有通过所述薄膜晶体管驱动的有机电致发光结构；所述薄膜晶体管为顶栅极结构，其包括:形成于所述衬底基板上的有源层；形成于所述有源层的远离所述衬底基板一侧的源、漏极；形成于所述源、漏极的远离所述有源层一侧，并覆盖整个所述驱动区域和所述发光区域的钝化层；以及，形成于所述钝化层的远离所述源、漏极一侧的栅极。进一步的，在所述栅极的远离所述衬底基板的一侧还覆盖有像素隔离层。进一步的，所述有机电致发光结构为顶部发光结构，其包括:形成于所述钝化层的远离所述衬底基板一侧，并设置于与所述发光区域相对应位置的阴极，所述阴极与所述源、漏极电性连接；形成于所述阴极的远离所述衬底基板一侧的有机功能层；以及，形成于所述有机功能层的远离所述阴极一侧的阳极。 进一步的，所述阴极与所述栅极处于同一层。进一步的，至少两个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述钝化层在与所述第一薄膜晶体管的源、漏极对应的位置形成有第一过孔；其中所述第一薄膜晶体管的源、漏极通过所述第一过孔与所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接。进一步的，所述钝化层在与所述第二薄膜晶体管的源、漏极对应的位置形成有第二过孔；所述有机电致发光结构的阴极通过所述第二过孔与所述第二薄膜晶体管的源、漏极电性连接。进一步的，所述有机功能层包括:形成于所述阴极的远离所述钝化层一侧的电子传输层；形成于所述电子传输层的远离所述阴极一侧的有机发光层；以及，形成于所述有机发光层的远离所述电子传输层一侧的空穴传输层。进一步的，所述有源矩阵有机电致发光显示器件还包括与所述源、漏极连接的数据信号线和电源线，其中所述数据信号线和所述电源线与所述源、漏极处于同一层。本专利技术还提供了一种显示装置，其包括如上所述的有源矩阵有机电致发光显示器件。本专利技术还提供了一种有源矩阵有机电致发光显示器件的制作方法，所述方法包括:在衬底基板上形成有源层及位于所述有源层两侧的源、漏极；在所述源、漏极上形成钝化层；在所述钝化层上形成栅极。进一步的,所述方法具体包括:在衬底基板上依次沉积半导体层和第一金属层，通过第一次构图工艺形成有源层和位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵有机电致发光显示器件，包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的多个像素单元，所述像素单元包括驱动区域和发光区域，其中所述驱动区域布置有至少两个薄膜晶体管；所述发光区域布置有通过所述薄膜晶体管驱动的有机电致发光结构；其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅极结构，其包括：形成于所述衬底基板上的有源层；形成于所述有源层的远离所述衬底基板一侧的源、漏极；形成于所述源、漏极的远离所述有源层一侧，并覆盖整个所述驱动区域和所述发光区域的钝化层；以及，形成于所述钝化层的远离所述源、漏极一侧的栅极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周伯柱，黄寅虎，陈程，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：