一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板，包括基板之上的栅电极层和像素电极层，所述栅电极层和所述像素电极层层叠设置且直接接触，构成像素电极和薄膜晶体管的栅电极；其中，所述像素电极层包括彼此区隔开的第一部分和第二部分，所述栅电极层包括第一部分，所述栅电极层的第一部分与所述像素电极层的第一部分位置正对；所述栅电极包括所述栅电极层的第一部分和所述像素电极层的第一部分，所述像素电极包括所述像素电极的第二部分。本发明专利技术实施例有益效果如下：只需利用同一掩膜版即可完成栅电极层和像素电极层的构图，减少使用不同掩膜版的数量和次数，降低了生产成本。本发明专利技术还提供阵列基板的制备方法及显示装置。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种阵列基板，包括基板之上的栅电极层和像素电极层，所述栅电极层和所述像素电极层层叠设置且直接接触，构成像素电极和薄膜晶体管的栅电极；其中，所述像素电极层包括彼此区隔开的第一部分和第二部分，所述栅电极层包括第一部分，所述栅电极层的第一部分与所述像素电极层的第一部分位置正对；所述栅电极包括所述栅电极层的第一部分和所述像素电极层的第一部分，所述像素电极包括所述像素电极的第二部分。本专利技术实施例有益效果如下：只需利用同一掩膜版即可完成栅电极层和像素电极层的构图，减少使用不同掩膜版的数量和次数，降低了生产成本。本专利技术还提供阵列基板的制备方法及显示装置。【专利说明】一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示器制造
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
近年来，显示技术得到快速的发展，平板显示器已取代笨重的CRT显示器日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示器包括液晶显示器IXD(Liquid CrystalDisplay)和有机发光二极管OLED (Organic Light-Emitting Diode)显示器。上述平板显示器具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。平板显示器的阵列基板上，每一个像素配备了用于控制该像素的开关，即薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor, TFT), TFT至少包含栅电极，源、漏极以及栅绝缘层和有源层。通过驱动电路可以独立控制每一个像素，同时不会对其他像素造成串扰等的影响。目前，制备上述平板显示器的阵列基板，通常具有如图1所示的结构，至少包括基板51、栅电极52、栅电极绝缘层53、有源层54、刻蚀阻挡层55、源电极56、漏电极57、钝化层58和像素电极59。该结构的阵列基板的制备，至少使用六块不同的掩膜版以形成该阵列基板的各层，如果该阵列基板作为OLED的背板使用，还需要增加制作像素界定层(PixelDesign Layer, TOL)的掩膜版。可见，现有技术中平板显示器的阵列基板的制备使用的掩膜版数较多，生产成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该制备方法实现减少掩膜版的使用量，从而达到降低`生产成本的目的。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的:本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括基板，及形成于所述基板之上的栅电极层和像素电极层，所述栅电极层和所述像素电极层层叠设置且直接接触，构成像素电极和薄膜晶体管的栅电极；其中，所述像素电极层包括彼此区隔开的第一部分和第二部分，所述栅电极层包括第一部分，所述栅电极层的第一部分与所述像素电极层的第一部分位置正对；所述栅电极包括所述栅电极层的第一部分和所述像素电极层的第一部分，所述像素电极包括所述像素电极的第二部分。优选的，所述栅电极层形成于所述像素电极层之上，所述像素电极仅包括所述像素电极层的第二部分。优选的，所述栅电极层形成于所述像素电极层之下，所述栅电极层包括第二部分，所述栅电极层的第二部分与所述栅电极层的第一部分彼此区隔，且所述栅电极层的第二部分与所述像素电极层的第二部分位置正对； 所述像素电极包括所述像素电极层的第二部分和所述栅电极层的第二部。优选的，所述阵列基板为OLED背板，所述栅电极层的第二部分作为所述OLED背板的反射电极。优选的，所述阵列基板包括栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极和钝化层。优选的，所述阵列基板为OLED背板，还包括像素界定层。本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本专利技术实施例有益效果如下:阵列基板中的栅电极金属薄和像素电极层层叠且相互接触，在制备过程的构图工艺中，只需利用同一掩膜版通过一次构图工艺即可形成，减少了使用不同掩膜版的数量的次数，降低了生产成本。本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括形成栅电极层和像素电极层的步骤:在提供的基板上形成层叠设置且直接接触的栅电极金属薄膜和像素电极薄膜；利用同一掩膜版，通过一次构图工艺在所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜上形成包括栅电极层和像素电极层的图形；其中，所述像素电极层包括彼此区隔开的第一部分和第二部分，所述栅电极层包括第一部分，所述栅电极层的第一部分与所述像素电极层的第一部分位置正对；所述栅电极包括所述栅电极层的第一部分和所述像素电极层的第一部分，所述像素电极包括所述像素电极的第二部分。优选的，所述利用同一掩膜版，通过一次构图工艺在所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜上形成包括栅电极层和像素电极层的图形，包括:所述栅电极金属薄膜形成于所述像素电极薄膜之上时，根据所述掩膜版，使设定的所述栅电极处的所述栅电极金属薄膜之上的光刻胶不曝光，使设定的所述像素电极处的所述栅电极金属薄膜和像素电极薄膜之上的光刻胶半曝光；通过不同的刻蚀液分别刻蚀所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜，使所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜上形成包括所述栅电极层、所述像素电极层的第一部分和所述像素电极层的第二部分的图形。优选的，所述栅电极金属薄膜形成于所述像素电极薄膜之下时，包括形成所述栅电极层的第二部分的步骤，所述栅电极层的第二部分与所述栅电极层的第一部分彼此区隔，且所述栅电极层的第二部分与所述像素电极层的第二部分位置正对；所述利用同一掩膜版，通过一次构图工艺在所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜上形成包括栅电极层和像素电极层的图形，包括:根据所述掩膜版，使设定的所述栅电极处的所述像素电极薄膜之上的光刻胶不曝光;通过不同的刻蚀液分别刻蚀所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜，使所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜上形成包括所述栅电极层的第一部分、所述栅电极层的第二部分、所述像素电极层的第一部分和所述像素电极层的第二部分的图形。优选的，包括形成栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极和钝化层的步骤。优选的，所述阵列基板为OLED背板，还包括形成像素界定层的步骤。本专利技术实施例有益效果如下:在制备阵列基板时，将栅电极金属薄膜和像素电极薄膜依次沉积，形成层叠且相互接触复合结构薄膜，在构图工艺时只需利用同一掩膜版通过一次构图即可在该复合结构薄膜上形成栅电极层和像素电极层的图形，使阵列基板制备工艺减少了使用不同掩膜版的数量和次数，降低了生产成本。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术阵列基板的剖面示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的剖面示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的剖面示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法的部分步骤的流程图；图5为本专利技术实施例具体提供一种阵列基板的制备方法的流程图；图6A、图6B为本专利技术实施例图5所示方法流程中完成301和303的阵列基板的剖面示意图；图7为本专利技术实施例具体提供另一种阵列基板的制备方法的流程图；图8A、图8B为本专利技术实施例图7所示方法流程中完成401和403的阵列基板的剖面示意图。【具体实施方式】下面结合说明书附图对本专利技术实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。本专利技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括基板，及形成于所述基板之上的栅电极层和像素电极层，其特征在于，包括：所述栅电极层和所述像素电极层层叠设置且直接接触，构成像素电极和薄膜晶体管的栅电极；其中，所述像素电极层包括彼此区隔开的第一部分和第二部分，所述栅电极层包括第一部分，所述栅电极层的第一部分与所述像素电极层的第一部分位置正对；所述栅电极包括所述栅电极层的第一部分和所述像素电极层的第一部分，所述像素电极包括所述像素电极的第二部分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥永，成军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：