【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种氮化镓基发光二极管，包括衬底、依次层叠在所述衬底上的n?GaN层、量子阱层和p?GaN层，依次层叠的所述n?GaN层、所述量子阱层和所述p?GaN层共同蚀刻有一台阶，所述台阶的低端设有n电极，所述台阶的高端层叠有一电流扩散层，所述电流扩散层的中部设有蚀空，所述电流扩散层的蚀空上方设有p电极，所述n电极和所述p电极均包括依次层叠的欧姆接触层、阻挡层和压焊层，其特征在于，所述压焊层的材料为镁铝合金。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓小强，张建宝，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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