【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种IGBT芯片，包括衬底、位于衬底正面之上的铜金属化结构，所述铜金属化结构包括栅极电极和发射极电极，其特征在于，还包括，位于所述栅极电极下方的衬底内的P+掺杂区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘国友，覃荣震，黄建伟，
申请(专利权)人：株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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