一种温度压力一体式敏感组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种温度压力一体式敏感组件，包括硅芯片和管座，所述硅芯片上制作有开环式惠斯登电桥,所述硅芯片非受力区制作有温敏二极管；所述管座为底端开口的圆柱形，所述圆柱形底端固定有波纹膜片，所述波纹膜片与所述管座内表面形成一密封腔体，所述密封腔体内填充有硅油；所述硅芯片固定在所述管座顶端内壁上，所述硅芯片通过引线与穿过所述管座顶端固定孔的柯伐合金引脚连接；所述固定孔内填充有玻璃釉。本实用新型专利技术的温敏组件可以同时测量介质的温度和压力，且结构简单，体积较小。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种温度压力一体式敏感组件，包括硅芯片（1）和管座（5），其特征在于，所述硅芯片（1）上制作有开环式惠斯登电桥，所述硅芯片（1）非受力区制作有温敏二极管（3）；所述管座（5）为底端开口的圆柱体，所述圆柱体下底面固定有波纹膜片（9），所述波纹膜片（9）与所述圆柱体内腔形成一密封腔体，所述密封腔体内填充有硅油（10）；所述硅芯片（1）固定在所述圆柱体上底面内壁上，所述硅芯片（1）通过引线（6）与穿过所述圆柱体上底面固定孔的柯伐合金引脚（7）连接；所述固定孔内填充有玻璃釉（8）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金忠，王玉明，何迎辉，景涛，曹勇飞，袁云华，杨毓彬，李建果，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：实用新型
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