一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。该薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层、源极和漏极以及导电层。第一绝缘层设置在栅极上，第二绝缘层设置在第一绝缘层上方，半导体层、源极和漏极设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间，导电层设置在第二绝缘层上，并与栅极相互导通，使得薄膜晶体管在打开状态时，增大形成在半导体层的导电沟道中的开态电流，在关闭状态时，减小导电沟道的关态电流。通过上述方式，本发明专利技术能够提高开关比。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。该薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层、源极和漏极以及导电层。第一绝缘层设置在栅极上，第二绝缘层设置在第一绝缘层上方，半导体层、源极和漏极设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间，导电层设置在第二绝缘层上，并与栅极相互导通，使得薄膜晶体管在打开状态时，增大形成在半导体层的导电沟道中的开态电流，在关闭状态时，减小导电沟道的关态电流。通过上述方式，本专利技术能够提高开关比。【专利说明】—种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。
技术介绍
显示面板中用作开关元件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)是利用栅极(Gate)电压来控制源极(Source)和漏极(Drain)间电流的一种半导体器件，其中，TFT的结构为:依次层叠设置的栅极、绝缘层、半导体层以及源极和漏极。在TFT导电沟道(Channel)中起导电作用的载流子为电子。TFT的工作原理为:在Gate加高电压时，半导体层中靠近Gate侧的区域的电子聚集，电子浓度升高，从而在Source和Drain之间形成一个导电的前导电沟道。前导电沟道位于Source和Drain的下方,在工作时Source和Drain之间的电流需要穿过半导体层之后才能到达前导电沟道，半导体层本身的电阻比较大。在关态时，半导体层远离Gate侧，SP靠近Source/Drain侧会形成电子积累的背导电沟道(Back Channel),产生漏电流,使TFT的关态电流变大，开关比降低(1n/1ff )o
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，能够在开态时，减小导电沟道电阻，增大开关电流，在关态时减小导电沟道中电子的浓度，降低关态电流，从而提闻开关比。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极；第一绝缘层，设置在栅极上；第二绝缘层，设置在源极和漏极上；半导体层、源极和漏极，设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间；导电层，设置在第二绝缘层上，并与栅极相互导通，使得薄膜晶体管在打开状态时，增大形成在半导体层的导电沟道中的开态电流，在关闭状态时，减小导电沟道中的关态电流。其中，在栅极的上方设置第一开孔，第一开孔穿透第一绝缘层和第二绝缘层，并露出栅极，导电层通过第一开孔与栅极连接。其中，导电层为ITO膜或金属层。其中，半导体层设置在第一绝缘层上，源极和漏极设置在半导体层上，薄膜晶体管还包括欧姆接触层，设置在半导体层和源极和漏极之间，并且在欧姆接触层上设置第二开孔，第二开孔经过源极和漏极之间的空隙并穿透欧姆接触层，并露出半导体层，第二绝缘层通过第二开孔与半导体层连接。其中，源极和漏极设置在第一绝缘层上，半导体层设置在源极和漏极上，薄膜晶体管还包括欧姆接触层，设置在半导体层和源极和漏极之间，并且在欧姆接触层上设置第二开孔，第二开孔穿透欧姆接触层并经过源极和漏极之间的空隙，并露出第一绝缘层，半导体层通过第二开孔与第一绝缘层连接。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是:提供一种阵列基板，阵列基板包括基板和设置在基板上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括:栅极，设置在基板的表面上；第一绝缘层，设置在栅极上；第二绝缘层，设置在源极和漏极上；半导体层、源极和漏极，设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间；导电层，设置在第二绝缘层上，并与栅极相互导通，使得薄膜晶体管在打开状态时，增大形成在半导体层的导电沟道中的开态电流，在关闭状态时，减小导电沟道中的关态电流。其中，在栅极的上方设置第一开孔，第一开孔穿透第一绝缘层和第二绝缘层，并露出栅极，导电层通过第一开孔与栅极连接。其中，导电层为ITO膜或金属层。其中，半导体层设置在第一绝缘层上，源极和漏极设置在半导体层上，薄膜晶体管还包括欧姆接触层，设置在半导体层和源极和漏极之间，并且在欧姆接触层上设置第二开孔，第二开孔经过源极和漏极之间的空隙并穿透欧姆接触层，并露出半导体层，第二绝缘层通过第二开孔与半导体层连接。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是:提供一种显示面板，该显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，其中，阵列基板为上述所述的阵列基板。本专利技术的有益效果是:区别于现有技术的情况，本专利技术的薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、半导体层、源极和漏极、第二绝缘层以及导电层，其中，第一绝缘层设置在栅极上，第二绝缘层设置在第一绝缘层的上方，半导体层、源极和漏极设置第一绝缘层和第二绝缘层之间，导电层设置在第二绝缘层上，并与栅极相互导通。通过上述方式，本专利技术的栅极和导电层能够同时接收到开启信号和关闭信号，在同时接收到开启信号时，栅极和导电层分别在半导体层中形成两个导电沟道，减小了导电沟道阻抗，从而增大了开态电流，在同时接收到关闭信号时，栅极和导电层同时排走导电沟道中的电子，减小了关态电流，即减小漏电流，因此，本专利技术能够提闻开关比。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术一种薄膜晶体管一实施例的结构示意图；图2是图1所示的薄膜晶体管在打开状态时的结构示意图；图3是图1所示的薄膜晶体管在关闭状态时的结构示意图；图4是本专利技术一种薄膜晶体管另一实施例的结构示意图；图5是本专利技术一种阵列基板一实施例的结构不意图；图6是本专利技术一种显示面板一实施例的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。请参阅图1，图1是本专利技术一种薄膜晶体管一实施例的结构示意图。如图1所示，本专利技术的薄膜晶体管10包括栅极11、第一绝缘层12、半导体层13、源极14、漏极15、第二绝缘层16以及导电层17。其中，第一绝缘层12设置在栅极11上。第二绝缘层16设置在第一绝缘层12上方。半导体层13、源极14和漏极15设置在第一绝缘层12和第二绝缘层16之间。导电层17设置在第二绝缘层16上，并与栅极11相互导通，使得薄膜晶体管10在打开状态时，增大形成在半导体层13的导电沟道中的开态电流，在关闭状态时，减小半导体层13的导电沟道中的关态电流。本实施例中，导电层17与栅极11相互导通的具体实现方式为:在栅极11的上方设置第一开孔110，第一开孔110穿透第一绝缘层12和第二绝缘层16，并露出栅极11，导电层17通过第一开孔110与栅极11连接。其中，导电层17为IT0(Indium Tin Oxide，掺锡氧化铟)膜或金属层。导电层17还可以为其他导电材料，只要能使栅极11和导电层17的电性相互导通即可，在此不作限制。本实施例中，半导体层13设置在第一绝缘层12上，源极14和漏极15设置在半导体层13上，并位于半导体层13的两侧。薄膜晶体管10还包括欧姆接触层18，其设置在半导体层13和源极14和漏极15之间，并且在欧姆接触层18上设置第二开孔111，第二开孔111经过源极14和漏极15之间的空隙并穿透欧姆接触层18，并露出半导体层13，第二绝缘层16通过第二开孔111与半导体层13连接。以下将介绍本专利技术的薄膜晶体管10的工作原理:请参阅图2和图3，图2是薄膜晶体管10在打开状态时的结构示意图；图3是薄膜晶体管10在关闭状态时的结构示意图。首先如图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极；第一绝缘层，设置在所述栅极上；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上方；半导体层、源极和漏极，设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间；导电层，设置在所述第二绝缘层上，并与所述栅极相互导通，使得所述薄膜晶体管在打开状态时，增大形成在所述半导体层的导电沟道中的开态电流，在关闭状态时，减小所述导电沟道中的关态电流。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜鹏，陈政鸿，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：