一种ITO表面微纳米结构处理方法技术

本发明专利技术公开了一种ITO表面微纳米结构的处理方法；首先将清洗后的外延片进行ITO蒸镀，然后将上述产品送至黄光，进行匀胶，曝光，显影，从而将掩模版上面的微纳米结构复制至ITO表面，接着利用ITO刻蚀液分步刻蚀的方法，对没有胶体保护的ITO进行湿法刻蚀，最后去胶后，将其进行浸泡于BOE溶液中进行震荡腐蚀，最终在ITO表面形成多种的微纳米结构；本工艺具有操作简单可行，利用ITO分步刻蚀和BOE溶液在ITO表面腐蚀出微纳米结构的粗糙漫反射层，从而增加LED芯片的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种ITO表面微纳米结构的处理方法；首先将清洗后的外延片进行ITO蒸镀，然后将上述产品送至黄光，进行匀胶，曝光，显影，从而将掩模版上面的微纳米结构复制至ITO表面，接着利用ITO刻蚀液分步刻蚀的方法，对没有胶体保护的ITO进行湿法刻蚀，最后去胶后，将其进行浸泡于BOE溶液中进行震荡腐蚀，最终在ITO表面形成多种的微纳米结构；本工艺具有操作简单可行，利用ITO分步刻蚀和BOE溶液在ITO表面腐蚀出微纳米结构的粗糙漫反射层，从而增加LED芯片的出光效率。【专利说明】一种ITO表面微纳米结构处理方法
本专利技术涉及光电
，尤其是一种ITO表面微纳米结构的处理方法。
技术介绍
在能源日益紧缺的今天，LED以其独有的耗能少，使用寿命高，结构简单，易于使用等优点，在户外背光，照明等领域有着越来越广泛的应用。ITO (铟锡氧化物)作为一种N层半导体，制作工艺简单，透光性好，方阻低，电流横向拓展性佳从而被广泛应用于LED芯片前段工艺，然而由于ITO和空气之间较大的折射率差值，所以当光线从LED芯片内部出射时，容易在ITO与空气的分界面形成全反射角，约束了光线的出射，从而影响LED的外量子效率。因此，需要一种新的技术方案以解决上述问题。
技术实现思路
专利技术目的:为了解决现有技术所产生的问题，本专利技术提供了一种简单易行，工艺简单的ITO表面微纳米结构的处理方法。技术方案:为达到上述目的，本专利技术可采用如下技术方案:一种ITO表面微纳米结构的处理方法，包括以下步骤:(I)将清洗后的外延片进行ITO蒸镀；(2)将表面镀有ITO的外延片送至黄光进行匀胶，利用接近式曝光方式，将掩模版表面的微纳米结构复制至胶体表面，最后进行显影；(3)将显影后的成品进行ITO湿法刻蚀，为了更好的将上述图形刻蚀干净，在这里采用分步刻蚀的方式进行处理；(4)湿法刻蚀完毕后，去除ITO表面的胶体，再将上述产品送至BOE槽体进行湿法刻蚀，其溶液温度为常温，时间为25-40s，刻蚀时，需上下震荡产品。更进一步的，所述步骤(3)中分步刻蚀方式为:第一步刻蚀时，ITO刻蚀液温度为45°C?50°C，刻蚀时间为30?45s，第二部刻蚀时，ITO刻蚀液温度为室温，刻蚀时间为30 ?45s。有益效果:本专利技术公开了一种ITO表面微纳米结构的处理方法；首先将清洗后的外延片进行ITO蒸镀，然后将上述产品送至黄光，进行匀胶，曝光，显影，从而将掩模版上面的微纳米结构复制至ITO表面，接着利用ITO刻蚀液分步刻蚀的方法，对没有胶体保护的ITO进行湿法刻蚀，最后去胶后，将其进行浸泡于BOE溶液中进行震荡腐蚀，最终在ITO表面形成多种的微纳米结构；本工艺具有操作简单可行，利用ITO分步刻蚀和BOE溶液在ITO表面腐蚀出微纳米结构的粗糙漫反射层，从而增加LED芯片的出光效率。【具体实施方式】下面结合【具体实施方式】，进一步阐明本专利技术，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围，在阅读了本专利技术之后，本领域技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。实施例1:一种ITO表面微纳米结构的处理方法，包括以下步骤:(I)将清洗后的外延片进行ITO蒸镀；(2)将表面镀有ITO的外延片送至黄光进行匀胶，利用接近式曝光方式，将掩模版表面的微纳米结构复制至胶体表面，最后进行显影；(3)将显影后的成品进行ITO湿法刻蚀，为了更好的将上述图形刻蚀干净，在这里采用分步刻蚀的方式进行处理；所述分步刻蚀方式为:第一步刻蚀时，ITO刻蚀液温度为45°C，刻蚀时间为30s，第二部刻蚀时，ITO刻蚀液温度为室温，刻蚀时间为30s ；(4)湿法刻蚀完毕后，去除ITO表面的胶体，再将上述产品送至BOE槽体进行湿法刻蚀，其溶液温度为常温，时间为25s，刻蚀时，需上下震荡产品。实施例2:一种ITO表面微纳米结构的处理方法，包括以下步骤:(I)将清洗后的外延片进行ITO蒸镀；(2)将表面镀有ITO的外延片送至黄光进行匀胶，利用接近式曝光方式，将掩模版表面的微纳米结构复制至胶体表面，最后进行显影；(3)将显影后的成品进行ITO湿法刻蚀，为了更好的将上述图形刻蚀干净，在这里采用分步刻蚀的方式进行处理；所述分步刻蚀方式为:第一步刻蚀时，ITO刻蚀液温度为50°C，刻蚀时间为45s，第二部刻蚀时，ITO刻蚀液温度为室温，刻蚀时间为45s ；(4)湿法刻蚀完毕后，去除ITO表面的胶体，再将上述产品送至BOE槽体进行湿法刻蚀，其溶液温度为常温，时间为40s，刻蚀时，需上下震荡产品。实施例3:一种ITO表面微纳米结构的处理方法，包括以下步骤:(I)将清洗后的外延片进行ITO蒸镀；(2)将表面镀有ITO的外延片送至黄光进行匀胶，利用接近式曝光方式，将掩模版表面的微纳米结构复制至胶体表面，最后进行显影；(3)将显影后的成品进行ITO湿法刻蚀，为了更好的将上述图形刻蚀干净，在这里采用分步刻蚀的方式进行处理；所述分步刻蚀方式为:第一步刻蚀时，ITO刻蚀液温度为48°C，刻蚀时间为38s，第二部刻蚀时，ITO刻蚀液温度为室温，刻蚀时间为38s ；(4)湿法刻蚀完毕后，去除ITO表面的胶体，再将上述产品送至BOE槽体进行湿法刻蚀，其溶液温度为常温，时间为33s，刻蚀时，需上下震荡产品。【权利要求】1.一种ITO表面微纳米结构处理方法，其特征在于包括以下步骤: (1)将清洗后的外延片进行ITO蒸镀； (2)将表面镀有ITO的外延片送至黄光进行匀胶，利用接近式曝光方式，将掩模版表面的微纳米结构复制至胶体表面，最后进行显影； (3)将显影后的成品进行ITO湿法刻蚀，为了更好的将上述图形刻蚀干净，在这里采用分步刻蚀的方式进行处理； (4)湿法刻蚀完毕后，去除ITO表面的胶体，再将上述产品送至BOE槽体进行湿法刻蚀，其溶液温度为常温，时间为25-40s，刻蚀时，需上下震荡产品。2.根据权利要求1所述的一种ITO表面微纳米结构处理方法其特征在于:所述步骤(3)中分步刻蚀方式为:第一步刻蚀时，ITO刻蚀液温度为45°C?50°C，刻蚀时间为30_45s，第二部刻蚀时，ITO刻蚀液温度为室温，刻蚀时间为30-45s。【文档编号】H01L21/308GK103474343SQ201310420064【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月12日 优先权日:2013年9月12日 【专利技术者】郁彬 申请人:昆山奥德鲁自动化技术有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ITO表面微纳米结构处理方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将清洗后的外延片进行ITO蒸镀；（2）将表面镀有ITO的外延片送至黄光进行匀胶，利用接近式曝光方式，将掩模版表面的微纳米结构复制至胶体表面，最后进行显影；（3）将显影后的成品进行ITO湿法刻蚀，为了更好的将上述图形刻蚀干净，在这里采用分步刻蚀的方式进行处理；（4）湿法刻蚀完毕后，去除ITO表面的胶体，再将上述产品送至BOE槽体进行湿法刻蚀，其溶液温度为常温，时间为25?40s，刻蚀时，需上下震荡产品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郁彬，
申请(专利权)人：昆山奥德鲁自动化技术有限公司，
类型：发明
国别省市：