一种沟槽式场效应管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种沟槽式场效应管，包括P型注入区以及覆盖其上表面的N型外延层，所述N型外延层设有多个P型阱和沟槽，每个P型阱的顶部设有N型有源区，所述P型阱及N型有源区均与沟槽相邻，所述沟槽包括多晶硅栅和栅氧化层，所述多晶硅栅与栅氧化层邻接且所述多晶硅栅的底部和栅氧化层之间设有绝缘层，所述栅氧化层下方设有P型掺杂区。本实用新型专利技术不仅减小了栅-漏电容，从而减小了场效应管的开关延时，降低其动态损耗，还提升了场效应管的耐压性能，可广泛应用于半导体行业中。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种沟槽式场效应管，其特征在于，包括P?型注入区（201）以及覆盖其上表面的N型外延层（202），所述N型外延层（202）设有多个P型阱（203）和沟槽，每个P型阱（203）的顶部设有N型有源区（204），所述P型阱（203）及N型有源区（204）均与沟槽相邻，所述沟槽包括多晶硅栅（205）和栅氧化层（206），所述多晶硅栅（205）与栅氧化层（206）邻接且所述多晶硅栅（205）的底部和栅氧化层（206）之间设有绝缘层（208），所述栅氧化层（206）下方设有P型掺杂区（209）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黎国伟，
申请(专利权)人：广州成启半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：