半导体器件制造技术

一种半导体器件，具有包括基底和从基底延伸的多个导电柱的衬底。该衬底可以是晶片形状、面板、或已单体化的形式。导电柱可以具有圆形、矩形、锥形、或中间变窄的形状。半导体管芯通过基底中的开孔被设置在导电柱之间。半导体管芯在导电柱上面延伸或者被设置在导电柱的下面。密封剂沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱。基底和密封剂的一部分被去除以电隔离导电柱。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成互连结构。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成绝缘层。半导体封装设置在半导体管芯上并电连接到导电柱。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：包括多个导电柱的衬底；设置在导电柱之间的半导体管芯；沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱的密封剂；和形成在半导体管芯、密封剂和导电柱上的互连结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：沈一权，俊谟具，PC马里穆图，林耀剑，林诗轩，
申请(专利权)人：新科金朋有限公司，
类型：实用新型
国别省市：