一种二阶补偿基准电压产生电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种二阶补偿基准电压产生电路，本实用新型专利技术基于SiGeBiCMOS工艺，通过对传统帯隙基准PTAT电流进行镜像复制，利用SiGeBiCMOS工艺中的NPN晶体管组成的PTAT电流平方生成电路产生与温度平方成比例的电流来补偿VBE的高阶项，进而得到高精度的基准电压源。本实用新型专利技术的核心思想是通过PTAT电流和PTAT平方电流分别产生与温度一次项和二次项相关的电压项，补偿VBE中对应的非线性项，进而得到高精度的基准电压。因此，PTAT电流平方产生电路为本实用新型专利技术的核心电路模块。本实用新型专利技术降低了基准电路的复杂度，提高了基准电压的稳定性，满足了高性能模/数转换器、数/模转换器以及其它高性能集成电路的应用。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种二阶补偿基准电压产生电路，其特征在于，所述二阶补偿基准电压产生电路包括：PTAT电流生成电路、PTAT电流平方生成电路、第四PMOS管和第五电阻，其中，所述PTAT电流生成电路包括：第一PMOS管的源级接电源，第一PMOS管漏极接第三电阻，所述第三电阻的另一端接第六NPN晶体管的基极和集电极，所述第六NPN晶体管的发射极接第五电阻，所述第五电阻另一个端口接地；第二PMOS管源级接所述电源，第二PMOS管漏级接第二电阻，所述第二电阻另一端接第一电阻，第一电阻的另一端接第七NPN晶体管基极和集电极，所述第七NPN晶体管发射极接第五电阻，第五电阻另一个端口接所述地；运算放大器的反向输入端接所述第六NPN晶体管基极和集电极，所述运算放大器的同向输入端接所述第二电阻和所述第一电阻之间，所述运算放大器输出端接所述第一PMOS管、所述第二PMOS管的栅级；所述PTAT电流平方生成电路包括：第五PMOS管的源级接所述电源，所述第五PMOS管栅级接所述第一PMOS管、所述第二PMOS管栅级，所述第五PMOS管漏级接第一NPN晶体管集电极和基极，所述第一NPN晶体管发射级接第三NPN晶体管集电极和基极，所述第三NPN晶体管发射级接地；第二NPN晶体管集电极接所述电源，所述第二NPN晶体管基极接第一NPN晶体管基极，所述第二NPN晶体管发射级接第四NPN晶体管集电极，所述第四NPN晶体管基级接第三NPN晶体管基极，所述第四NPN晶体管发射级接地；第四电阻一端接所述第四NPN晶体管集电极，另一端接所述地；第三PMOS管源级接所述电源，所述第三PMOS管栅级和漏极短接，所述第三PMOS管漏极接第五NPN晶体管集电极，所述第五NPN晶体管基极接所述第四NPN晶体管集电极，所述第五NPN晶体管发射级接所述地；所述第四PMOS管源级接所述电源，所述第四PMOS管栅级接所述第三PMOS管栅级，第四PMOS管漏级接所述第五电阻。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢生，付友，毛陆虹，张世林，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：实用新型
国别省市：