使石墨烯顺应目标基板制造技术

通过以下方式将石墨烯层从过渡金属基板转移到目标基板的方法和装置：将位于过渡金属基板上的石墨烯层部结合到目标基板，经由化学蚀刻或电化学蚀刻去除所述过渡金属基板，通过施加流体静压使石墨烯层顺应目标基板。所述装置能够容纳目标基板和包括过渡金属基板和石墨烯层的片材，装置壳体包括：背板、保持环和可渗透织物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】通过以下方式将石墨烯层从过渡金属基板转移到目标基板的方法和装置：将位于过渡金属基板上的石墨烯层部结合到目标基板，经由化学蚀刻或电化学蚀刻去除所述过渡金属基板，通过施加流体静压使石墨烯层顺应目标基板。所述装置能够容纳目标基板和包括过渡金属基板和石墨烯层的片材，装置壳体包括：背板、保持环和可渗透织物。【专利说明】使石墨烯顺应目标基板
技术介绍
除非此处另有说明，否则本部分描述的方法不是本申请权利要求的现有技术，不应该由于包括在本部分就认为是现有技术。一些处理使用中间聚合物膜，以将石墨烯从过渡金属基板转移到容纳基板。在这些处理中，石墨烯可能被三种单独材料支撑:过渡金属基板、中间聚合物膜和容纳基板。本公开注意到这种聚合物膜与过渡金属基板和容纳基板相比可能具有较差的机械稳定性，因此可能将诸如撕裂、折叠、空隙、污染等的缺陷引入到石墨烯中。
技术实现思路
本文公开的一些示例方法、装置和系统可以涉及使石墨烯层顺应目标基板。一些示例方法可以包括设置片材。这种片材可以包括石墨烯层部和过渡金属基板部。这种石墨烯层部可以位于过渡金属基板部上。片材的石墨烯层部可以结合到目标基板。可以从片材的石墨稀层部去除片材的过渡金属基板部。可以使石墨稀层顺应目标基板，以至少部分地基于施加流体静压形成目标基板上石墨烯组件。一些示例装置和系统可以涉及使石墨烯层顺应目标基板，可以包括壳体和可渗透织物。这种壳体可以被构造为容纳目标基板和包括过渡金属基板上的石墨烯层的片材。壳体可以包括背板和/或保持环。这种背板可以具有平坦面，其中，该平坦面可以被构造为支撑目标基板。这种保持环可以可去除地结合到背板，其中，所述保持环可以被布置为与所述背板隔开对齐。这种可渗透织物可以位于与平坦面相邻的壳体内部。所述可渗透织物可以被构造为使蚀刻溶液通过，以去除过渡金属基板。可渗透织物可以被构造为在流体静压下不会粘附到石墨烯层。上述
技术实现思路
仅仅是例示性的并且意图并非为任何限制。除了上述例示性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图以及下面的详细描述，其它的方面、实施方式以及特征将变得明显。【专利附图】【附图说明】主题在说明书的结尾部分中被具体指出并清楚地要求保护。本公开以上和其它特征从如下的描述和随附的权利要求并结合附图而更全面地显而易见。应当理解，这些附图仅仅描述了根据本公开的一些实施方式，因此不能被考虑为限制其范围，本公开将通过使用附图并结合附加特性和细节来描述。在图中:图1是用于使石墨稀层顺应目标基板的不例组件的分解图的例不；图2是包括石墨烯层部和过渡金属基板部的示例片材在给定的处理阶段的侧视图的例示；图3是结合到目标基板的示例片材在给定的处理阶段的侧视图的例示；图4是结合到目标基板的示例片材在给定的处理阶段的侧视图的例示，其中，已经去除了片材的过渡金属基板部；图5是示例目标基板上石墨烯组件在给定的处理阶段的侧视图的例示；图6是用于使石墨烯层顺应目标基板的示例组件在给定的处理阶段的截面侧视图的例示；图7是用于使石墨烯层顺应目标基板的示例组件在给定的处理阶段的截面侧视图的例示；图8是用于使石墨稀层顺应目标基板的不例处理的例不；图9是用于使石墨稀层顺应目标基板的另一个不例处理的例不;图10是不例计算机程序广品的例不；以及图11是例示根据本公开的至少一些实施方式设置的示例计算装置的框图。【具体实施方式】以下描述连同具体细节阐述了各种示例，以提供对所要求保护的主题的全面理解。然而，本领域技术人员应理解的是，可以在不包含一些或更多此处公开的特定细节的情况下实践所要求保护的主题。此外，在一些情况下，为了避免不必要地使所要求保护的主题变得模糊，没有详细地描述众所周知的方法、过程、系统、部件和/或电路。在以下详细描述中，参照了形成说明书一部分的附图。在附图中，类似的附图标记通常表示类似部件，除非上下文有相反的说明。在详细的说明书、附图和权利要求中描述的例示性实施方式并非是限制性的。在不背离本文介绍的主题的精神或者范围的情况下，可以利用其它实施方式，并且可以进行其它改变。容易理解的是如这里总体描述并且在附图中例示的，本公开的多个方面可以按各种不同配置进行排列、替换、组合和设计，所有这些不同配置在这里是明确想得到的并且构成了本公开的一部分。总体上，本公开特别涉及使石墨烯层顺应目标基板的方法、装置和系统。可以通过化学气相沉积(CVD)使大面积石墨烯生长，以生产具有30英寸或更大尺寸的高质量石墨烯膜。然而，为了利用石墨烯独特的电子特性，必须首先将其转移到绝缘表面。可以通过将这些表面压紧在一起来完成从过渡金属基板直接转移到绝缘体，但是这可能由于在高温化学气相沉积(CVD)处理期间引入的过渡金属基板上的粗面加工(峰与谷)以及过渡金属基板无法顺应目标基板的容纳表面而失败。下面讨论将石墨烯膜从过渡金属基板直接转移到目标基板的容纳绝缘表面的处理，该处理可以减少一个原子厚石墨烯膜中的缺陷。图1是用于使石墨烯层顺应目标基板的、根据本公开的至少一些实施方式设置的示例组件100的分解图的例示。在所例示的示例中，组件100可以包括壳体102和可渗透织物104。壳体102可以被构造为容纳目标基板106和片材108，其中，片材108可以包括过渡金属基板上的石墨烯层。在一些示例中，壳体102可以包括背板112和/或保持环114。背板112和/或保持环114可以由例如耐蚀刻溶液的材料(诸如，不锈钢等)形成。这种背板112可以具有平坦面(如下面参照图6将更详细地讨论的)，其中，平坦面可以被构造为支撑目标基板106。在一些示例中，保持环114可以可去除地结合到背板112，其中，在装配壳体102时，保持环114可以被布置为与背板112隔开对齐。在所例示的示例中，背板112和/或保持环114可以包括对应孔116，这些孔116可以在背板112与保持环114之间对齐。这样的孔116可以与一个或更多个紧固件紧密配合和/或容纳一个或更多个紧固件(如下面参照图6将更详细地讨论的)。在一些示例中，可渗透织物104可以位于壳体102内部。可渗透织物104可以被构造为使蚀刻溶液通过，以去除片材108的过渡金属基板部。可渗透织物104可以被构造为在流体静压下不粘附到片材108的石墨烯层部。如本文所使用的，术语“流体静压”可以指经由液体或气体(例如，经由等静压机等)引起的压力。密封环118可以位于保持环114与可渗透织物104之间。密封环118可以被构造为改进保持环114与可渗透织物104之间的密封。在操作中，组件100可以用于去除片材108的过渡金属基板部，然后使片材108的石墨烯层部顺应目标基板106。下面将更详细地描述组件100的操作。图2是根据本公开的至少一些实施方式设置的示例片材108在给定的处理阶段的侧面图的例示。在所例示的示例中，片材108可以包括石墨烯层202部和过渡金属基板204部。这种石墨烯层202可以位于过渡金属基板204上。过渡金属基板204的局部末端206(其又可防止石墨烯层202被大致光滑地设置)或者目标基板106的局部末端206可出现表面轻微凹凸。过渡金属基板204可以含有以下物质中的一种或更多种:铜、镍、铁、钴、钼、铱、钌等和/或其组合。在一些示例中，可以通过在过渡金属基板上的化学气相沉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：T·A·亚格尔，
申请(专利权)人：英派尔科技开发有限公司，
类型：
国别省市：