本发明专利技术的目的在于提供一种耐压性优异的半导体陶瓷和使用该半导体陶瓷的正温度系数热敏电阻元件。构成正温度系数热敏电阻元件(1)的部件主体(11)的半导体陶瓷包含由通式(Ba1-(x+y+z)/100Cax/100Sry/100Smcz/100)TiO3表示的化合物(其中，Smc为半导体化剂)作为主要成分，相对于主要成分100摩尔份，以t摩尔份的比例含有Mn，x、y、t满足2.500≤x≤20.000、0.000≤y≤5.000、2.500≤x+y≤20.000、0.030≤t≤0.150的关系，z在由x、y、t确定的、表示半导体化剂Smc的量与比电阻之间的关系的曲线中的比电阻成为极小的半导体化剂Smc的量以上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的目的在于提供一种耐压性优异的半导体陶瓷和使用该半导体陶瓷的正温度系数热敏电阻元件。构成正温度系数热敏电阻元件(1)的部件主体(11)的半导体陶瓷包含由通式(Ba1-(x+y+z)/100Cax/100Sry/100Smcz/100)TiO3表示的化合物(其中，Smc为半导体化剂)作为主要成分，相对于主要成分100摩尔份，以t摩尔份的比例含有Mn，x、y、t满足2.500≤x≤20.000、0.000≤y≤5.000、2.500≤x+y≤20.000、0.030≤t≤0.150的关系，z在由x、y、t确定的、表示半导体化剂Smc的量与比电阻之间的关系的曲线中的比电阻成为极小的半导体化剂Smc的量以上。【专利说明】半导体陶瓷及正温度系数热敏电阻
本专利技术涉及半导体陶瓷，尤其是涉及具有正的电阻温度系数(PositiveTemperature Coefficient ;以下,称作“PTC特性”)的半导体陶瓷。另外，涉及使用该半导体陶瓷的正温度系数热敏电阻。
技术介绍
钛酸钡(BaTiO3)系的半导体陶瓷具有因电压的施加而发热、当超过从正方晶向立方晶进行相转移的居里点Tc时电阻值急剧增大的PTC特性。利用该PTC特性，半导体陶瓷被广泛用于加热用途、马达起动用途等。例如在专利文献I中，作为具有PTC特性的半导体陶瓷而记载有以一定比例含有BaTiO3≤ SrTi03、CaTiO3> PbTiO3作为主要成分的半导体陶瓷。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开平4-170361号公报专利技术的概要专利技术要解决的课题然而，在专利文献I所记载的半导体陶瓷中含有铅。由于铅为环境负担物质，因此当考虑到环境问题时要求实质上不含有铅的非铅系的半导体陶瓷的开发。另外，对于在马达起动用途中使用的PTC热敏电阻，除了施加使用的电压之外，还在马达起动时进一步施加基于电磁感应的电动势，因此要求相对于高电压的耐性(耐压性)。
技术实现思路
本专利技术鉴于所述课题而完成的，其目的在于提供一种实质上不含有环境负担物质而耐压性优异的半导体陶瓷及将该半导体陶瓷用作部件主体(素体)的正温度系数热敏电阻元件。用于解决课题的方案本专利技术所涉及的半导体陶瓷的特征在于，所述半导体陶瓷包含由通式(Β&1_(χ+?+ζ)/κιf ax/1(l(lSry/1(l(lSmCz/1(l(l) TiO3表示的化合物(其中，Smc为半导体化剂)作半导体陶瓷及正温度系数热敏电阻
本专利技术涉及半导体陶瓷，尤其是涉及具有正的电阻温度系数(PositiveTemperature Coefficient ;以下,称作“PTC特性”)的半导体陶瓷。另外，涉及使用该半导体陶瓷的正温度系数热敏电阻。
技术介绍
钛酸钡(BaTiO3)系的半导体陶瓷具有因电压的施加而发热、当超过从正方晶向立方晶进行相转移的居里点Tc时电阻值急剧增大的PTC特性。利用该PTC特性，半导体陶瓷被广泛用于加热用途、马达起动用途等。例如在专利文献I中，作为具有PTC特性的半导体陶瓷而记载有以一定比例含有BaTiO3≤SrTi03、CaTiO3> PbTiO3作为主要成分的半导体陶瓷。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开平4-170361号公报专利技术的概要专利技术要解决的课题然而，在专利文献I所记载的半导体陶瓷中含有铅。由于铅为环境负担物质，因此当考虑到环境问题时要求实质上不含有铅的非铅系的半导体陶瓷的开发。另外，对于在马达起动用途中使用的PTC热敏电阻，除了施加使用的电压之外，还在马达起动时进一步施加基于电磁感应的电动势，因此要求相对于高电压的耐性(耐压性)。
技术实现思路
本专利技术鉴于所述课题而完成的，其目的在于提供一种实质上不含有环境负担物质而耐压性优异的半导体陶瓷及将该半导体陶瓷用作部件主体(素体)的正温度系数热敏电阻元件。用于解决课题的方案本专利技术所涉及的半导体陶瓷的特征在于，所述半导体陶瓷包含由通式(Β&1_(χ+?+ζ)/κιf ax/1(l(lSry/1(l(lSmCz/1(l(l) TiO3表示的化合物(其中，Smc为半导体化剂)作为主要成分，相对于所述主要成分100摩尔份，以t摩尔份的比例含有Mn，所述x、y、t满足2.500 ≤x ≤20.000、0.000 ≤ y ≤ 5.000,2.500 ( x+y ( 20.000,0.030 ≤ t ≤ 0.150 的关系，所述 z 在由所述X、y、t确定的、表示半导体化剂Smc的量与比电阻之间的关系的曲线中的比电阻成为极小的半导体化剂Smc的量以上。另外，本专利技术所涉及的半导体陶瓷的特征在于，所述半导体化剂Smc为Er，包含由通式(Bany≤1c1c1Caxy1c1c1Siv1c1c1Eiv1JTiO3表示的化合物作为主要成分，相对于所述主要成分100摩尔份，以t摩尔份的比例含有Mn，所述X、y、z、t满足2.500 ≤x ≤20.000、0.000 ≤ y ≤ 5.000,2.500 ( x+y ( 20.000,0.030 ≤ t ≤ 0.150、z ≤(30-x) (30-y)为主要成分，相对于所述主要成分100摩尔份，以t摩尔份的比例含有Mn，所述x、y、t满足2.500 ≤ x ≤ 20.000、0.000 ≤ y ≤ 5.000,2.500 ( x+y ( 20.000,0.030 ≤ t ≤ 0.150 的关系，所述 z 在由所述X、y、t确定的、表示半导体化剂Smc的量与比电阻之间的关系的曲线中的比电阻成为极小的半导体化剂Smc的量以上。另外，本专利技术所涉及的半导体陶瓷的特征在于，所述半导体化剂Smc为Er，包含由通式(Bany≤1c1c1Caxy1c1c1Siv1c1c1Eiv1JTiO3表示的化合物作为主要成分，相对于所述主要成分100摩尔份，以t摩尔份的比例含有Mn，所述X、y、z、t满足2.500 ≤ x ≤ 20.000、0.000 ≤ y ≤ 5.000,2.500 ( x+y ( 20.000,0.030 ≤ t ≤ 0.150、z ≤(30-x) (30-y)≤l+15t)/{125 ≤20+y)} + ≤5+3y)/200 的关系。另外，本专利技术所涉及的半导体陶瓷的特征在于，所述半导体化剂Smc为Dy，包含由通式≤Ba1H≤iciciCaxyiciciSiviciciDyzyiJTiO3表示的化合物作为主要成分，相对于所述主要成分100摩尔份，以t摩尔份的比例含有Mn，所述X、y、z、t满足2.500 ≤ x ≤ 20.000、0.000 ≤ y ≤ 5.000,2.500 ≤ x+y ≤ 20.000,0.030 ≤ t ≤ 0.150,z ≤ 0.84X 的关系。另外，本专利技术所涉及的半导体陶瓷的特征在于，所述半导体化剂Smc为Y，包含由通式≤Ba1-≤x+y+z)/1≤l≤lCax/1≤l≤lSry/1≤l≤lYz/lcl≤l) TiO3表示的化合物作为主要成分，相对于所述主要成分100摩尔份，以t摩尔份的比例含有Mn，所述X、y、z、t满足2.500 ≤ x ≤ 20.000、0.000 ≤ y ≤ 5.000,2.500 ≤ x+y ≤ 20.000,0.03本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：后藤正人，松永达也，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：
国别省市：
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