玻璃基板的制造方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于，提供一种能够安全地实现高品质的化学研磨处理的玻璃基板的化学研磨装置。其解决手段为，本发明专利技术的化学研磨装置具有：输送通路，其沿水平方向输送玻璃基板（GL）；研磨处理部（16）、（22），其对在输送通路移动中的玻璃基板喷射化学研磨液而对玻璃基板进行薄型化；洗涤处理部（24），其对经过研磨处理部（22）而被薄型化了的玻璃基板喷射洗涤液进行洗涤，其中，在向研磨处理部（16）导入玻璃基板的导入部设置有：旋转滚轮（43），其轻轻地保持玻璃基板的表面并进行旋转；喷射部（NZ1）、（NZ2），其从研磨处理部（16）的外侧向旋转滚轮（43）喷射水。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的课题在于，提供一种能够安全地实现高品质的化学研磨处理的玻璃基板的化学研磨装置。其解决手段为，本专利技术的化学研磨装置具有：输送通路，其沿水平方向输送玻璃基板（GL）；研磨处理部（16）、（22），其对在输送通路移动中的玻璃基板喷射化学研磨液而对玻璃基板进行薄型化；洗涤处理部（24），其对经过研磨处理部（22）而被薄型化了的玻璃基板喷射洗涤液进行洗涤，其中，在向研磨处理部（16）导入玻璃基板的导入部设置有：旋转滚轮（43），其轻轻地保持玻璃基板的表面并进行旋转；喷射部（NZ1）、（NZ2），其从研磨处理部（16）的外侧向旋转滚轮（43）喷射水。【专利说明】玻璃基板的制造方法及其装置
本专利技术涉及一种能够对大型玻璃基板均匀地进行薄型化的玻璃基板的制造方法及其化学研磨装置。
技术介绍
作为在输送玻璃基板的同时喷射蚀刻液的制造加工装置，已知的有，例如，专利文献I中记载的湿法蚀刻装置。并且，该装置利用蚀刻液去除形成于玻璃基板的铬或者铬合金膜。现有技术文献专利文献专利文献1:日本国特开2000-144454号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，上述专利技术仅仅记载了去除形成在玻璃基板上的薄膜的结构或方法，并没有记载了对玻璃基板自身进行薄型化的结构或方法。此处，为了对玻璃基板自身进行蚀刻(化学研磨)而进行薄型化，不得不使用含有氢氟酸的化学研磨液，在该情况下，强烈期望能够确保操作员的安全，并且，实现高品质的化学研磨处理。特别是最近的电子仪器都要求小型化、轻量化，所以也要求玻璃基板的进一步的薄型化(板厚度为0.5mm左右或其以下)，如果由化学研磨而产生研磨不均或白浊现象， 则其玻璃基板的使用价值就会丧失。本专利技术是鉴于上述课题而`做出的，其目的在于提供一种能够安全地实现高品质的化学研磨处理的玻璃基板的制造方法及其化学研磨装置。解决课题的方法为了达到上述目的，本专利技术的化学研磨装置具有:输送通路，其沿水平方向输送玻璃基板；研磨处理部，其对在输送通路移动中的玻璃基板喷射化学研磨液而对玻璃基板进行薄型化；洗涤处理部，其对经过研磨处理部而被薄型化了的玻璃基板喷射洗涤液进行洗涤，其中，在向所述研磨处理部导入玻璃基板的导入部设置有:旋转滚轮(roller)，其轻轻地保持玻璃基板的表面并进行旋转；喷射部，其从研磨处理部的外侧向所述旋转滚轮喷射水。优选地，在所述研磨处理部配置有沿玻璃基板的输送方向延伸的一组喷射管，并且从形成于各个喷射管的喷出口向玻璃基板喷出化学研磨液。此处，优选地，一组喷射管配置于璃基板的上部和下部。此外，更优选地，一组喷射管，其轴向长度设定在2.5m以下。优选地,所述一组喷射管配置于与所述输送方向垂直相交的玻璃基板的宽度方向，向中央位置的喷射管供给比周边位置的喷射管相比高压的化学研磨液。另外，优选地， 一组喷射管以可以旋转的方式被保持，且沿喷射管的圆周方向摇动。优选地，所述研磨处理部以如下方式构成:其被分割成具有几乎相同结构的多个处理腔室，且使用相同成分的研磨液而对玻璃基板进行多次研磨。此处，优选地，所述多个处理腔室经由中继腔室而连接。更优选地，在所述中继腔室中，具有与处理腔室相同成分的化学研磨液向玻璃基板喷出。此外，本专利技术的玻璃基板的制造方法为使用化学研磨装置对板厚度进行薄型化的制造方法。该化学研磨装置具有:输送通路，其沿水平方向输送玻璃基板；研磨处理部，其对在输送通路移动中的玻璃基板喷射化学研磨液而对玻璃基板进行薄型化；洗涤处理部， 其对经过研磨处理部而被薄型化了的玻璃基板喷射洗涤液进行洗涤，在所述研磨处理部的玻璃基板导入部设置有:旋转滚轮，其轻轻地保持玻璃基板的表面并进行旋转；喷射部，其从研磨处理部的外侧向所述旋转滚轮喷射水。专利技术效果根据上述专利技术，能够安全地实现高品质的化学研磨处理。【专利附图】【附图说明】图1是表示实施例的化学研磨装置的概略主视图。 图2是说明图1的化学研磨装置的排气线(line)的图。图3是说明一组喷出管和曲柄机构的图。 图4是说明曲柄机构的动作的图。【具体实施方式】以下，根据实施例对本专利技术进行详细说明。图1和图2是表示实施例的化学研磨装置10的概略主视图。另外，对于同一个化学研磨装置10，图1中表示化学研磨液的供液线LNl和洗涤水的供水线LN2以及回收线LN3，图2中表示排气线LN4。如图所示，该化学研磨装置10以搬入部12、前处理腔室14、第一处理腔室16、第二处理腔室22、中继腔室18、水洗腔室24及搬出部26为中心而构成，其中，搬入部12，玻璃基板GL被操作员一片一片地搬入；前处理腔室14，其接收从搬入部12输送的玻璃基板GL ； 第一处理腔室16，其向玻璃基板GL的上下面喷射化学研磨液而对玻璃基板进行薄型化;第二处理腔室22，其向玻璃基板的上下面喷射与第一处理腔室16相同成分的化学研磨液而对玻璃基板进行进一步的薄型化；中继腔室18，其连结第一和第二处理腔室16、22 ;水洗腔室24，其对经由第二处理腔室22的玻璃基板GL进行水洗；搬出部26，玻璃基板GL被操作员一片一片地搬出。另外，中继腔室18划分为:在上下方向小型化了的第一中继腔室18a ； 和在第二处理腔室22的前面以与其几乎相同形状面对的第二中继腔室18b。除了向前处理腔室14的导入口 IN、从水洗腔室24的导出口 OUT、以及曲柄机构CR 的一部分工作空间之外，各个腔室14、16、18、22、24作为整体而被密闭。另外，导入口 IN和导出口 OUT是与玻璃基板GL的板厚度相比稍微高，并与玻璃基板GL的横宽相比稍微宽的矩形开口。此外，在同一平面上配置有贯通各个部分的多个输送滚轮42…42，从而形成将玻璃基板GL向图中右侧输送的输送通路。此处，优选地，输送速度设定为200-800mm/分，更优选地，应设定为300-550mm/ 分。并且，在本实施例中，在第一处理腔室16和第二处理腔室22的处理时间设定为共计10分钟左右。如果超过上述范围而输送速度过慢，则不仅生产率恶化，而且化学研磨液容易滞留在玻璃基板上，从而妨碍均匀的化学研磨。另一方面，在相同规模的装置中，如果需要提高输送速度，则很难实现液体成分的最佳化，其结果，不能实现均匀的化学研磨。对在化学研磨装置10进行薄型化处理的玻璃基板GL没有特别限定，即使对 1000X 1200mm或1100X 1300mm以上的大型玻璃基板，也以能够对其上下两面均匀地进行研磨的方式构成。另外当向本装置10导入时，假定玻璃基板的板厚度为Imm以下，在化学研磨后其厚度能够被薄型化至0.5mm左右。如图1所示，第一处理腔室16、第二处理腔室22、以及中继腔室18经由供液线LNl 而与被温度管理的处理液供给部30连通，由此处理液供给部30的化学研磨液在40-42°C 左右向各个腔室供给。此处，对化学研磨液没有特别限定，优选地，为了在10分钟左右的化学研磨处理中对板厚度进行其整体形成为100 u m左右的薄板化，液体成分设定为5-12重量％的氢氟酸、0-6重量％的盐酸、剩余的水。此外，前处理腔室14和水洗腔室24经由供水线LN2而与水供给部28连通，洗涤水向各个腔室供给。另外，从前处理腔室14和水洗腔室24排出的洗涤排水，直接被排出。一方面，第一处理腔室16、中继腔室本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西山荣，
申请(专利权)人：株式会社NSC，
类型：
国别省市：