P3MT/N-GE修饰玻碳电极以及在检测农药辛硫磷的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种P3MT/N-GE修饰玻碳电极及其在检测农药辛硫磷的应用。本发明专利技术所述P3MT/N-GE修饰玻碳电极是将制备好的氮掺杂石墨烯超声分散在N,N-二甲基甲酰胺溶液中，然后将该分散液滴加在玻碳电极上，蒸干溶剂即得到敏感膜与玻碳电极构建的氮掺杂石墨烯修饰电极；在含有3甲基噻吩单体和高氯酸锂的乙腈溶液中通过电化学聚合制备聚3甲基噻吩/氮掺杂石墨烯（P3MT/N-GE）修饰电极。该修饰电极制备操作简单、对环境友好、成本低廉，而且所述修饰电极可用于农药辛硫磷的检测，并具灵敏度高、线性范围宽、重现性好、稳定性高等特点，最低检出限达到0.002?mol/L。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种P3MT/N?GE修饰玻碳电极，其特征在于所述电极由以下步骤制备：（1）N?GE修饰电极的制备：将一定量的氮掺杂石墨烯，用N,N?二甲基甲酰胺稀释然后超声分散，制得N?GE分散液，取?N?GE分散液滴涂在抛光后的玻碳电极表面，溶剂挥发后得到覆有敏感膜的氮掺杂石墨烯修饰玻碳电极；（2）聚P3MT/N?GE修饰玻碳电极的制备：将纯3甲基噻吩单体滴加到含有高氯酸锂的乙腈液中，然后超声半小时，得到含有3甲基噻吩单体的混合溶液，将步骤（1）制备的N?GE修饰玻碳电极置于混合溶液中，电位区间为0.2???1.7?V循环伏安聚合5?30圈，扫速为100?mV/s,?得到聚P3MT/N?GE修饰的玻碳电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：雷武，韩振，郝青丽，夏明珠，王风云，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：