一种卡巴他赛晶型W及其制备方法技术

一种卡巴他赛晶型W及其制备方法。晶型W的X-射线粉末衍射图谱特征峰2θ为4.4，7.8，8.5，11.4，12.8，15.3，17.0，20.4，21.4，22.5，23.4，27.8，29.7，29.9，33.3和34.3±0.2°。制备方法是将任意晶型的卡巴他赛溶于适量的有机溶剂中，然后边搅拌边向其中缓慢加入去离子水，然后降至环境温度，静置析晶；将上述混合液过滤、洗涤并干燥而得到卡巴他赛晶型W。本发明专利技术提供的卡巴他赛晶型W与已知专利文献报道的晶型相比在晶型稳定性方面有很大优势，而且该晶型的制备过程比较简单，对环境和设备没有苛刻的要求，可重复性强，因此利于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种卡巴他赛晶型W，其特征在于：所述的卡巴他赛晶型W的X?射线粉末衍射图谱特征峰2θ为4.4，7.8，8.5，11.4，12.8，15.3，17.0，20.4，21.4，22.5，23.4，27.8，29.7，29.9，33.3和34.3±0.2°。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋洪海，王兴锋，林松，
申请(专利权)人：天津炜捷制药有限公司，
类型：发明
国别省市：