浮动催化剂法选择性生长金属性富集单壁碳纳米管的方法技术

本发明专利技术涉及金属性富集单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域，具体为一种浮动催化剂法选择性生长金属性富集单壁碳纳米管的方法，在直径调控基础上、氢气原位弱刻蚀直接生长金属性富集单壁碳纳米管。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、有机低碳烃为碳源的条件下，通过调节优化催化剂挥发温度、载气氦气/氢气的流量，在一定生长温度下可原位刻蚀掉小直径半导体性单壁碳纳米管，最终获得较大直径、金属性富集的单壁碳纳米管。本发明专利技术实现了金属性富集单壁碳纳米管的大量、快捷、低成本控制生长，突破了目前直接生长宏量金属性富集单壁碳纳米管这一瓶颈问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种浮动催化剂法选择性生长金属性富集单壁碳纳米管的方法，其特征在于，以二茂铁、二茂镍或二茂钴为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、氦气为载气、氢气为刻蚀气体，在温度1000?1100℃下同时通入碳源气体，并调控氦气/氢气流量进行单壁碳纳米管的生长及原位刻蚀，去除小直径的半导体性单壁碳纳米管，最终获得金属性富集的单壁碳纳米管样品，金属性单壁碳纳米管含量≥60wt%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：侯鹏翔，李文山，刘畅，成会明，石超，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：