改善切割晶片良率的固定方法技术

一种改善切割晶片良率的固定方法，其制造方法包括：　　　　准备材料：　　　　一经镀膜处理的初胚晶片；　　　　一具有弱亲和性胶合面、及一无胶固定面的ＵＶ胶膜；　　　　一胶合药水，该胶合药水具有强亲和性的胶着力，涂附于ＵＶ胶膜的固定面；　　　　此弱亲和性的胶合面的黏着力须大于以后切割加工的作用力；　　　　一具绝缘刚性的基板，该基板并有能弯曲的性质；　　　　ＵＶ胶膜贴合：将ＵＶ胶膜弱亲和性的胶合面黏着初胚晶片，此ＵＶ胶膜固定面贴涂附有胶合药水，并使ＵＶ胶膜固定面贴合于铝基板上；　　　　切割：在初胚晶片切割出纵横交错的切道，该纵横切道深度须到达基板，以便将初胚晶片分割成多数成品晶片；　　　　折弯脱离：将铝基板施以弯曲应力，使铝基板接触表面扩张，令ＵＶ胶膜的弱亲性胶合面同时放大该弧状扩张，使多数成品晶片能由胶合面上自动剥离，迳而直接获致成品晶片。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种。
技术介绍
现今照相机镜头前的镜片，主要以石英构成，但石英并无法充份阻断紫外光，为了成像的需要及保护人员健康不受伤害，有必要在石英镜片外周电附着耐紫外光涂层，例如美国专利第4799963号便揭示含有胶态氧化铈的耐紫外光涂层。为简化说明，在以下均以晶片代替该种石英镜片、或其他须经镀膜作业的元件。一般而言，厂商会先将石英加工成规格化的初胚晶片，再经镀膜耐紫外光涂层，才将该初胚晶片分割成所需尺寸的成品晶片，我们可以在图1了解到习用制程须依序经准备材料10→贴合晶片11→切割12→浸水脱离13→清洗晶片14，现详述如下1、准备材料10请配合图2观之，准备35×35×3mm玻璃基板20、及小于该基板20尺寸的初胚晶片30、以及水溶性胶合药水40；2、贴合晶片11如图3所示，以水溶性胶合药水40将初胚晶片30直接贴合于玻璃基板20上，由于玻璃基板20具相当硬度，且玻璃基板20与初胚晶片30间没有任何保护结构，很容易因人为或环境影响摩擦刮伤初胚晶片30接触表面；3、切割12请配合图4至图7观之，分A、B两站切割出纵横交错的切道31、32，该切道31、32深度须到达玻璃基板20，以便将初胚晶片30确实分割成多数成品晶片300，惟该多数成品晶片300仍以水溶性胶合药水40固结于玻璃基板20；4、浸水脱离13如图8所示，然后将前述多数成品晶片300固结于玻璃基板20的整体结构放入水中，以水逐步溶解其间的水溶性胶合药水，使多数成品晶片300能由玻璃基板20上分离，惟该水溶性胶合药水40须泡入水中长达20小时才能完全溶解，使多数成品晶片300、玻璃基板20分离；5、清洗晶片14成品晶片300本身有残胶，需以人工耗时的将该成品晶片300一片一片存放于洗篮之中清洗，以完成如图9所示之成品。前述加工制法有以下若干无法突破的缺点1、生产速度过慢；由上说明得知，其成品晶片300必须经过20小时，才能由玻璃基板20上脱离，且该等浸水脱离13程序无法以生产线连接，而清洗晶片14须以人工为之，该等重复作业不但累积工时及耗费人力，致成品晶片300完成的工作效率亦无法提升，更难提经济效益的增长，此乃目前加工技术无法突破之处。2、不良率高；在前述加工制法中，因水溶性胶合药水40直接与初胚晶片30镀膜面接触，使该水溶性胶合药水40渗入多层镀膜的毛细孔中，而在毛细孔中起化学反应，造成雾状脱膜，进而降低良率；再则，该成品晶片300在和玻璃基板20分离后，其镀膜表面仍会有残胶存在，若无法清除，将会导致不良品报废情形；在前述容易失误以致报废率增加状况，不但缩减生产效率，且材料成本、工时成本无谓地减损是为业者很大损失，令业者十分困扰。有鉴于习用制法之不良率高及工时多，以致成本高涨，品质、效率无法提升之缺点，乃以多年的专业经验与心得，经不断构思、创研，乃研发出此种改善切割晶片良率之固定方法，以彻底解决习用装置存在之问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可快速将切割后的成品晶片快速剥离的技术，以达成高良率的。为实现上述目的，本专利技术的解决方案是一种，其制造方法包括准备材料一经镀膜处理的初胚晶片；一具有弱亲和性胶合面、及一无胶固定面的UV胶膜；一胶合药水，该胶合药水具有强亲和性的胶着力，涂附于UV胶膜的固定面；此弱亲和性的胶合面的黏着力须大于以后切割加工的作用力；一具绝缘刚性的基板，该基板并有能弯曲的性质；UV胶膜贴合将UV胶膜弱亲和性的胶合面黏着初胚晶片，此UV胶膜固定面贴涂附有胶合药水，并使UV胶膜固定面贴合于铝基板上；切割在初胚晶片切割出纵横交错的切道，该纵横切道深度须到达基板，以便将初胚晶片分割成多数成品晶片；折弯脱离将铝基板施以弯曲应力，使铝基板接触表面扩张，令UV胶膜的弱亲性胶合面同时放大该弧状扩张，使多数成品晶片能由胶合面上自动剥离，迳而直接获致成品晶片。所述胶合药水为水溶性。所述基板为铝材料。所述切割程序分A、B两站作业。所述铝基析板固定于治具上，在其两端施以弯曲应力。采用上述方案后，由于本专利技术主要以一贯加工的方式，使初胚晶片以UV胶膜贴合在可挠曲之铝基板上，操作初胚晶片及UV胶膜间黏着亲合性较U胶膜及铝基板间亲合性弱，然后在初胚晶片上切割出切道，使成品晶片的尺寸被加工出来，再弯曲铝基板剥离成品晶片，令成品晶片完成，此一加工方式，除大幅节省工时与提升效率外，且在同步加工下达成下达到符合经济的原则及新颖功能，以去除习用制法的不良问题，有效地增进品质、提高生产效率，确实为晶片切割加工提出一有效解决的新颖技术。附图说明图1系习用制法的流程图；图2系习用制法的初胚晶片及基板分解示意图；图3系习用制法的初胚晶片及基板组合示意图；图4系习用制法于A站切割时的动作示意图；图5系图4的加工完成示意图；图6系习用制法于B站切割时的动作示意图；图7系图6的加工完成示意图；图8系习用制法于浸水脱离时的示意图；图9系成品晶片的剖面示意图；图10系本专利技术的流程图；图11系本专利技术初胚晶片、UV胶膜及基板分解示意图；图12系本专利技术于A站切割时的动作示意图；图13系图12的加工完成示意图；图14系本专利技术于B站切割时的动作示意图；图15系图14的加工完成示意图；图16系图15的剖面示意图；图17系本专利技术折弯脱离的动作示意图。10准备材料 11贴合晶片12切割 13浸水脱离14清洗晶片20基板 30初胚晶片31、32切道300成品晶片40水溶性胶合药水 51准备材料52UV胶膜贴合53切割54折弯脱离60初胚晶片600成品晶片61UV胶膜 610胶合面611固定面 62基板具体实施方式请参看图10，其系本专利技术的流程图，由此图可以发现本专利技术仅须经过一贯自动化的方式，采准备材料51→UV胶膜贴合52→切割53→折弯脱离54程序，即可完成晶片的加工。(1)准备材料51如图11所示；一初胚晶片60，该初胚晶片60表面已经多层镀膜处理；一UV胶膜61，该UV胶膜61具有一弱亲和性的胶合面610、及一无胶的固定面611，此弱亲和性的胶合面610的黏着力须大于以后切割加工的作用力；一胶合药水，该胶合药水具有强亲和性的胶着力，其不限定于水溶性，可涂附于UV胶膜61的固定面611；一基板62，该基板62系以绝缘刚性材为宜，并能有弯曲的挠性，本专利技术系采用铝基板62，此材质并非本专利技术的限制；(2)UV胶膜贴合52先将UV胶膜61弱亲和性的胶合面610自动黏着初胚晶片60，令UV胶膜61及初胚晶片60固着成一体，值得一提的是，该UV胶膜61能对初胚晶片60提供一份保护作用；此UV胶膜61的固定面611贴涂附有胶合药水，并使UV胶膜61固定面611贴合于铝基板62上；(3)切割53请配合图12至15观之，分A、B两站在初胚晶片60切割出纵横交错的切道，该纵横切道深度须到达UV胶膜61，以便将初胚晶片60确实分割成多数成品晶片600，现在该多数成品晶片600仍以UV胶膜61固结于铝基板62；(4)折弯脱离54请配合图16及17所示，将铝基板62固定于模具上，令铝基板62两端施以弯曲应力，使铝基板62接触表面呈一弧状扩张，令U胶膜61之弱亲性胶合面610同时放大该弧状扩张，令多数成品晶片600由胶合面610上自动剥离，迳而直接获致成品，由于UV胶膜61固定面611系以强亲合性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈新发，
申请(专利权)人：陈新发，
类型：发明
国别省市：