垂直结构的被动像素阵列及其制造方法技术

图像传感器和图像传感器的使用方法，图像传感器的制造方法，和包含该图像传感器的设备在此披露。该图像传感器包括像素，其包括至少一个纳米柱，该至少一纳米柱周围围绕门电极，其中该至少一个纳米柱适应将入射其上的光转换成电信号，该门电极是可操作地截断或允许电流流过该至少一纳米柱。该图像传感器具有可以按照单独寻址的方式排列的复数个像素。该至少一纳米柱有包覆层。包覆层的折射率小于纳米柱的折射率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞荣濬，彼得·杜安，穆尼布·沃贝尔，
申请(专利权)人：立那工业股份有限公司，
类型：
国别省市：