图案颠反膜形成用组合物和颠反图案形成方法技术

本发明专利技术的目的在于，提供能够用通常在抗蚀剂图案的剥离中使用的有机溶剂进行重新加工的、含有硅原子的图案颠反膜形成用组合物。因而提供了一种含有聚硅氧烷、添加剂和有机溶剂的图案颠反膜形成用组合物，其特征在于，所述聚硅氧烷具有下述式(1)所表示的结构单元和式(2)所表示的结构单元，(式(1)中、R1表示碳原子数1～8的烷基。)(式(2)中、R2表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基，n表示2～4整数。)，并且所述添加剂为具有羧基和/或羟基共至少2个的有机酸，并且提供了使用该组合物而成的图案颠反膜、和颠反图案的形成方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的目的在于，提供能够用通常在抗蚀剂图案的剥离中使用的有机溶剂进行重新加工的、含有硅原子的图案颠反膜形成用组合物。因而提供了一种含有聚硅氧烷、添加剂和有机溶剂的图案颠反膜形成用组合物，其特征在于，所述聚硅氧烷具有下述式(1)所表示的结构单元和式(2)所表示的结构单元，(式(1)中、R1表示碳原子数1～8的烷基。)(式(2)中、R2表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基，n表示2～4整数。)，并且所述添加剂为具有羧基和/或羟基共至少2个的有机酸，并且提供了使用该组合物而成的图案颠反膜、和颠反图案的形成方法。【专利说明】
本专利技术涉及图案颠反膜形成用组合物、和使用该组合物形成颠反图案的方法。更具体地说，本专利技术提供能够形成能够用有机溶剂除去的颠反图案的图案颠反膜形成用组合物。
技术介绍
在半导体元件制造工艺中，光致抗蚀剂图案是经光致抗蚀剂涂布、预烘烤、曝光、后烘烤、以及抗蚀剂显影工序而形成的。近年来，随着半导体元件的高集成化发展，愈加要求上述光致抗蚀剂图案的微细化，作为实现高精度的尺寸控制的图案形成方法，已经提出了颠反掩模图案的形成方法、以及在该方法中使用的图案颠反用的树脂组合物(专利文献1、专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平5-267253号公报专利文献2:日本特开2002-110510号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在光致抗蚀剂图案的形成之际，不能避免多少发生图案不良，在这种情形，通过灰化(ashing，氧等离子体)处理或药液(抗蚀剂剥离液)处理等使形成不良图案的基板再生、再利用(以下称作“重加工”)。上述颠反掩模图案要求具有重加工性(能够或容易重新加工的性质)，但由于迄今为止提出的颠反图案材料中都含有硅原子，即使要进行灰化处理，也由于变为氧化硅、变硬而不能除去，此外，由于该图案经烘烤处理而进行交联反应，所以难以使用以往的抗蚀剂剥离剂通过药液处理除去。本专利技术的目的在于，能够用通常在抗蚀剂图案的剥离中使用的有机溶剂进行重新加工的含硅的图案颠反膜形成用组合物。解决课题的手段本专利技术人为了实现上述目的而进行了反复深入的研究，结果发现，通过构成含有具有特定结构单元的聚硅氧烷和特定的添加剂的组合物，能够得到图案颠反膜形成用组合物，其在不使用特殊的药剂的情况下，使用有机溶剂、通过药液处理就能够除去颠反图案，从而完成本专利技术。S卩、本专利技术为作为观点1，是一种组合物，是含有聚硅氧烷、添加剂和有机溶剂的图案颠反膜形成用组合物，其特征在于，所述聚硅氧烷具有下述式(I)所表示的结构单元和式(2)所表示的结构单元，【权利要求】1.一种组合物，是含有聚硅氧烷、添加剂和有机溶剂的图案颠反膜形成用组合物，其特征在于， 所述聚硅氧烷具有下述式(I)所表示的结构单元和式(2)所表示的结构单元， 2.如权利要求1所述的图案颠反膜形成用组合物，所述添加剂为选自马来酸、柠檬酸、水杨酸、3 —羟基苯甲酸、4 一羟基苯甲酸、2，6 —二羟基苯甲酸、3，5 —二羟基苯甲酸、没食子酸、邻苯二甲酸、均苯四甲酸和抗坏血酸中的有机酸。3.如权利要求1或2所述的图案颠反膜形成用组合物，所述有机溶剂选自碳原子数2?10的醇类。4.如权利要求1?3的任一项所述的图案颠反膜形成用组合物，其特征在于，所述聚硅氧烷以摩尔比50:50?99:1含有上述式(I)所表示的结构单元和上述式(2)所表示的结构单元。5.一种颠反图案形成方法，包含以下工序: 在被加工基板上形成抗蚀剂图案的工序， 以覆盖所述抗蚀剂图案的方式涂布权利要求1?4的任一项所述的图案颠反膜形成用组合物，在80?180°C的温度下加热，从而形成图案颠反膜的工序， 对所述图案颠反膜进行蚀刻，使所述抗蚀剂图案的表面露出的工序，以及 除去所述抗蚀剂图案而形成颠反图案的工序。6.一种图案颠反膜的除去方法，利用有机溶剂将图案颠反膜与抗蚀剂图案一起剥离，所述图案颠反膜是通过用权利要求1?4的任一项所述的图案颠反膜形成用组合物覆盖被加工基板上的抗蚀剂图案、并加热而得到的。7.如权利要求6所述的图案颠反膜的除去方法，所述有机溶剂是选自丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、乳酸乙酯和环己酮中的I种或2种以上。【文档编号】G03F7/40GK103443711SQ201280014532【公开日】2013年12月11日 申请日期:2012年2月24日 优先权日:2011年3月28日【专利技术者】境田康志, 谷口博昭 申请人:日产化学工业株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：境田康志，谷口博昭，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：
国别省市：