硅微谐振器的加工方法技术

硅微谐振器的加工方法，属于传感器领域，本发明专利技术为解决谐振器采用现有方法制作存在的问题。本发明专利技术该方法包括以下步骤：步骤一、选用电阻率为3Ω·cm～10Ω·cm的N型硅片作为待加工硅片，进行热氧化处理，获取热氧化处理硅片；步骤二、采用光刻工艺在热氧化处理硅片的上表面刻蚀出谐振梁结构图形；去掉谐振梁两侧区域的氧化层；同时，利用深反应离子刻蚀工艺在所述谐振梁两侧对称形成两个深槽；步骤三、谐振梁侧壁覆盖钝化层；步骤四、刻蚀掉两个深槽底部的钝化层；步骤五、继续对两个深槽底部再刻蚀一定深度；步骤六、用TMAH溶液对硅片进行腐蚀，释放出谐振梁；谐振梁两侧的两个深槽连通后构成振动腔室，加工出硅微谐振器。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
硅微谐振器的加工方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、选用电阻率为3Ω·cm～10Ω·cm的N型硅片作为待加工硅片，对待加工硅片进行热氧化处理，在待加工硅片的上下表面形成氧化膜，获取热氧化处理硅片；步骤二、采用光刻工艺在热氧化处理硅片的上表面刻蚀出谐振梁结构图形；然后以反应离子刻蚀工艺或湿法腐蚀工艺去掉谐振梁两侧区域的氧化层；同时，利用深反应离子刻蚀工艺在所述谐振梁两侧对称形成两个深槽，此深槽的深度为谐振梁的厚度；步骤三、利用LPCVD沉积氮化硅或二氧化硅作为钝化层对氧化层、两个深槽的侧壁及底部进行覆盖，完成对谐振梁侧壁覆盖钝化层；步骤四、利用反应离子刻蚀工艺刻蚀掉所述热氧化处理硅片的上表面氧化层之上的钝化层及两个深槽底部的钝化层；步骤五、利用深反应离子刻蚀工艺继续对两个深槽底部再刻蚀一定深度，此深度是谐振梁的悬空高度；步骤六、用TMAH溶液对硅片进行腐蚀，直到谐振梁底部的硅全部被腐蚀掉，释放出谐振梁；谐振梁两侧的两个深槽连通后构成振动腔室，加工出硅微谐振器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王明伟，金建东，李玉玲，田雷，齐虹，王永刚，刘智辉，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十九研究所，
类型：发明
国别省市：