【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种MEMS牺牲层刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体结构；于所述半导体结构上制备牺牲层；于所述牺牲层上依次沉积氮化硅层和氧化硅层；回蚀部分所述氧化硅层至所述氮化硅层；以剩余的氧化硅层为掩膜，刻蚀部分所述氮化硅层至所述牺牲层；继续以所述剩余的氧化硅层和剩余的氮化硅层为掩膜，刻蚀部分所述牺牲层至所述半导体结构；去除所述剩余的氧化硅层和所述剩余的氮化硅层，于剩余的牺牲层中形成联通孔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵大国，马清杰，王赞，
申请(专利权)人：中航重庆微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。