【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种SET/MOS混合电路构成的选通逻辑电路，其特征在于：包括一PMOS管、一NMOS管和一单电子晶体管，所述PMOS管的源极连接电源Vdd，所述PMOS管的栅极连接一基准电压Vpg，所述PMOS管的漏极作为所述选通逻辑电路的输出端并连接所述NMOS管的漏极，所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vng，所述NMOS管的源极连接所述单电子晶体管的漏极，所述单电子晶体管的源极接地，所述单电子晶体管的背栅连接一背栅电压Vctrl，所述单电子晶体管包括三个输入端，第一输入端连接行信号Ri+1，第二输入端连接行信号Ri，第三输入端连接列信号Si，所述选通逻辑电路的输出端连接一电流源单元的控制端；所述电流源单元包括一第一NMOS管、一第二NMOS管、一反相器和一电流源，所述第一NMOS管的栅极作为所述电流源单元的控制端并连接所述反相器的输入端，所述反相器的输出端连接所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的源极和所述电流源的输入端，所述电流源的输出端接地，所述第一NMOS管的漏极作为所述电流源单元的第一输入端，所述第二NMOS管的漏极作为所述电流源单元的第二输入端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：魏榕山，陈锦锋，于志敏，何明华，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：实用新型
国别省市：
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