射频铁氧体隔离器制造技术

本实用新型专利技术涉及微波电路领域中使用的射频铁氧体隔离器，尤其是一种射频铁氧体隔离器。包括一腔体，所述的腔体的底板及四周侧板为一体式结构，所述的腔体上端开口，所述的腔体内设有内部磁路，内部磁路由上至下依次设有上永磁铁、上导磁片、上铁氧体和下铁氧体、下导磁片、下永磁铁，上铁氧体和下铁氧体之间设有中心导体，所述的上铁氧体和下铁氧体为锶钙铁氧体，所述的腔体上端开口上通过一上盖封装腔体。本实用新型专利技术的射频铁氧体隔离器导磁和磁屏蔽作用好，磁化更均匀，磁化回路好，综合降下的成本和省下的成本占到产品总成本的20％以上，大幅提高加工效率；可以大大减少调试人员反复调试磁场时间，效率提高30％以上，而且通过实验得出，产品性能更优良的指标，在-30℃～+80℃全温度范围满足损耗≤0.25dB、隔离≥23dB、驻波≤1.15。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种射频铁氧体隔离器，包括一腔体，其特征在于：所述的腔体的底板及四周侧板为一体式结构，所述的腔体上端开口，所述的腔体内设有内部磁路，内部磁路由上至下依次设有上永磁铁、上导磁片、上铁氧体和下铁氧体、下导磁片、下永磁铁，上铁氧体和下铁氧体之间设有中心导体，所述的上铁氧体和下铁氧体为锶钙铁氧体，所述的腔体上端开口上通过一上盖封装腔体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杜，
申请(专利权)人：唐玉梅，
类型：实用新型
国别省市：