基于铁电材料的薄膜体声波谐振器的制备方法、谐振器技术

本发明专利技术提供一种基于铁电材料的薄膜体声波谐振器的制备方法及利用一种基于铁电材料的薄膜体声波谐振器以及包括该薄膜体声波谐振器的滤波器、振荡器和射频模块，其中的谐振器利用铁电材料的电致伸缩效应，通过改变外加直流电压的大小，控制铁电材料应力的变化，进而控制声波的速度，而谐振频率与声波速度成正比，从而控制谐振频率的变化。当外加电场为零时，应力也为零，也就不会产生声波进而不会产生谐振，因此通过是否施加直流电压起到对器件的开启和关闭的作用。本发明专利技术中的方案在不需要外加开关的情况下，通过简单的外加电压来实现谐振器的开和关，频率的调整。基于此的可开关式滤波器库，完全不需要任何的外加开关，也不存在任何来自于开关和偏压网络的插入损耗，大大降低了器件的体积和制造成本。

【技术实现步骤摘要】
基于铁电材料的薄膜体声波谐振器的制备方法、谐振器
本专利技术涉及一种无线通讯器件
具体地说涉及一种基于铁电材料的薄膜体声波谐振器的制备方法以及一种基于铁电材料的薄膜体声波谐振器和包括该薄膜体声波谐振器的滤波器、振荡器和射频模块。
技术介绍
随着薄膜与微纳制造技术的发展，电子器件正向微型化、高密集复用、高频率和低功耗的方向迅速发展。近年来发展起来的薄膜体声波谐振器（FBAR：FilmBulkAcousticResonator）采用一种先进的谐振技术,通过压电薄膜的逆压电效应将电能转换成声波而形成谐振。FBAR器件具有体积小，成本低，品质因数高、功率承受能力强、频率高（可达1-10GHz）且与IC技术兼容等特点，适合于工作在1-10GHz的RF系统应用，有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波（SAW）器件和微波陶瓷器，因此在新一代无线通信系统和超微量生化检测领域具有广阔的应用前景。现有技术中的薄膜体声波谐振器为图1a所示的“三明治”结构，其包括衬底层01、依次制备于衬底层之上的第一电极02、压电材料层03和第二电极04。图1a结构的薄膜体声波谐振器的俯视图如图1b所示。FBAR器件的基本工作原理是：当电信号加载到FBAR器件上时，压电材料层通过逆压电效应将电信号转变为声信号，器件特定的声学结构对不同频率的声信号呈现出选择性，其中在器件内满足声波全反射条件的声信号将在器件内实现谐振，而不满足谐振条件的声信号就会衰减，在频谱上与谐振声信号频率相差越多的声信号衰减越快。最后，在器件内幅度相位已产生差异的声信号又通过压电材料层等比例地转变成输出电信号，这样FBAR器件最终就表现出对电信号的选频作用。传统的薄膜体声波谐振器使用氮化铝和氧化锌等压电材料。FBAR器件的谐振频率f0由声波在器件中的传播速度V和整个器件的厚度H来决定。以上公式中，v是声波的速度，H为器件厚度。也就是说谐振频率主要取决于器件的厚度。但是在微加工工艺中，压电材料层和第一电极、第二电极的厚度都有严格的控制。现有技术中采用薄膜沉积技术制备第一电极、第二电极和压电材料层，而薄膜沉积系统的厚度均一性在5%-10%，是非常低的一个比例。所以在同一个晶圆上生产出来的谐振器的厚度在一定程度上存在较大差异，因此谐振器的谐振频率就会有所不同。为解决上述问题，可以采用对不同的谐振器上再沉积一层质量层，通过不同厚度的质量层来调节谐振器的厚度进而实现对谐振频率的微调。但是这种方式增加了器件制备过程中的工序、使制备工艺更加费时费力，且增加了总的生产成本。
技术实现思路
为此，本专利技术所要解决的技术问题在于现有技术中的制备的薄膜体声波谐振器的厚度均匀性差进而影响薄膜体声波谐振器的谐振频率的稳定性，从而提出一种谐振频率不依赖于器件厚度的薄膜体声波谐振器。为解决上述技术问题，本专利技术的采用以下方案来实现：一种基于铁电材料的薄膜体声波谐振器的制备方法，包括如下步骤：S1：选择基板衬底得到衬底层；S2：在所述衬底层上制备环形结构的第一电极、铁电材料层和第二电极；S3：在所述衬底层上位于所述第一电极下方的位置，刻蚀掉基板衬底基材形成空气空腔，所述空气空腔横向上面积大于所述第一电极外边界所围成的面积。上述的制备方法，所述步骤S2中，所述第一电极所用电极材料为Au、Pt或Mo。上述的制备方法，所述步骤S2中，所述第二电极所用电极材料为Au、Pt，Mo或Al。上述的制备方法，所述步骤S2中，所述环形结构的内边界与外边界之间的宽度为100nm-20um。上述的制备方法，所述步骤S1中，在所述基板衬底上沉积支持层后得到所述衬底层。上述的制备方法，所述支持层为SiO2层。本专利技术还提供一种基于铁电材料的薄膜体声波谐振器，包括衬底层和沿远离所述衬底层方向设置的环形结构的第一电极、铁电材料层和第二电极；所述衬底层上与所述第一电极相对的位置处开设空气空腔，所述空气空腔横向上面积大于所述第一电极外边界所围成的面积。上述的基于铁电材料的薄膜体声波谐振器，所述环形结构包括但不限于圆形环状结构、方形环状结构、多边形环状结构。上述的基于铁电材料的薄膜体声波谐振器，所述第一电极所用电极材料为Au、Pt或Mo。上述的基于铁电材料的薄膜体声波谐振器，所述第二电极所用电极材料为Au、Pt，Mo或Al。上述的基于铁电材料的薄膜体声波谐振器，所述环形结构的内边界和外边界间的宽度为100nm-20um。上述的基于铁电材料的薄膜体声波谐振器，还包括支持层，所述支持层设置于所述衬底层和所述第一电极之间。上述的基于铁电材料的薄膜体声波谐振器，所述支持层为SiO2层。本专利技术还提供一种包括上述的基于铁电材料的薄膜体声波谐振器的滤波器。本专利技术还提供一种包括上述的基于铁电材料的薄膜体声波谐振器的振荡器。本专利技术还提供一种射频模块，包括双工器或多工器，所述双工器或所述多工器包括上述的基于铁电材料的薄膜体声波谐振器。本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：（1）本专利技术所述的基于铁电材料的薄膜体声波谐振器的制备方法及基于铁电材料的薄膜体声波谐振器，由于将铁电材料层设置为环形结构，当通过第一电极和第二电极为铁材料施加纵向的电压之后，利用其d31压电系数来激励与电场垂直的声波，即横向方向，因此谐振频率与器件的横向宽度即压电材料的宽度有关系。而在现今的集成电路微加工工艺中，平面尺寸的控制精度要远远大于厚度的控制精度，比如CMOS65纳米工艺可以实现非常准确的65纳米的平面节点，其精度可以达到纳米级别，所以本专利技术中的FBAR器件的结构能够保证同一晶圆上的谐振器宽度几乎一致，相应的谐振频率高度一致，在极大降低了器件加工的难度同时大大提高良品率。（2）本专利技术所述的基于铁电材料的薄膜体声波谐振器的制备方法及基于铁电材料的薄膜体声波谐振器，利用铁电材料的电致伸缩效应，通过改变外加直流电压的大小，控制铁电材料应力的变化，进而控制声波的速度，而谐振频率与声波速度成正比，从而控制谐振频率的变化。当外加电场为零时，应力也为零，也就不会产生声波进而不会产生谐振，因此通过是否施加直流电压可以起到对器件的开启和关闭的作用。本专利技术中的方案在不需要外加开关的情况下，通过简单的外加电压来实现谐振器的开和关，频率的调整。基于此的可开关式滤波器库，完全不需要任何的外加开关，也不存在任何来自于开关和偏压网络的插入损耗，大大降低了器件的体积和制造成本。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中：图1a是现有技术中一种FBAR器件结构的剖面示意图；图1b是图1a中的FBAR器件的俯视图；图2是本专利技术一种实施例的基于铁电材料的薄膜体声波谐振器制备方法的工艺流程；图2a是本专利技术一种实施例中制备第一电极的方法流程图；图2b是本专利技术一种实施例中制备第二电极的方法流程图；图3a是本专利技术一种实施例的FBAR器件结构的剖面示意图；图3b是本专利技术一个实施例的采用圆形状结构的FBAR器件的俯视图；图3c是本专利技术一个实施例的采用方形环状结构的FBAR器件的俯视图；图3d是本专利技术一个实施例的采用多边形环状结构的FBAR器件的俯视图；图4a为现有技术中FBAR器件中铁电材料层施加电压的示意图；图4b为本专利技术一个实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于铁电材料的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：选择基板衬底得到衬底层（1）；S2：在所述衬底层（1）上制备环形结构的第一电极（2）、铁电材料层（3）和第二电极（4）；S3：在所述衬底层（1）上位于所述第一电极（2）下方的位置，刻蚀掉基板衬底基材形成空气空腔（5），所述空气空腔（5）横向上面积大于所述第一电极（2）外边界所围成的面积。

【技术特征摘要】
1.一种基于铁电材料的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：选择基板衬底得到衬底层(1)；S2：在所述衬底层(1)上制备环形结构的第一电极(2)、铁电材料层(3)和第二电极(4)，所述铁电材料层(3)的铁电材料选择：BaTiO3、SrTiO3、BaxSr1-xTiO3、KxNa1-xNbO3、KTaO3、CaxSr1-xTiO3、KxLi1-xTaO3中的一种或几种；S3：在所述衬底层(1)上位于所述第一电极(2)下方的位置，刻蚀掉基板衬底基材形成空气空腔(5)，所述空气空腔(5)横向上面积大于所述第一电极(2)外边界所围成的面积，在刻蚀形成空气空腔(5)时，保留有两个或者多个固定脚(7)用于将所述第一电极(2)固定；所述步骤S2中，所述第一电极(2)所用电极材料为Au、Pt或Mo；所述步骤S2中，所述第二电极(4)所用电极材料为Au、Pt，Mo或Al；所述环形结构的内边界与外边界之间的宽度为100nm-20um；所述步骤S1中，在所述基板衬底上沉积支持层(6)后得到所述衬底层(1)；所述支持层(6)为SiO2层；所述步骤S2中制备所述第一电极(2)的具体步骤如下：S201.在所述衬底层(1)上蒸镀第一电极材料层；S202.在所述第一电极材料层上刻蚀出第一电极图案；S203.去除所述第一电极图案之外的第一电极材料得到第一电极(2)，此处可以采用liftoff剥离工艺去除所述第一电极图案之外的第一电极材料；所述步骤S2中制备所述第二电极(4)的步骤具体步骤如下：S211.在所述铁电材料层(3)上蒸镀第二电极材料层；S212.在所述第二电极材料层上刻蚀出第二电极图案；S213.去除所述第二电极图案之外的第二电极材料得到第二电极(4)，本步骤中可以采用liftoff剥离工艺去除所述第二电极图案之外的第二电极材料；所述薄膜体声波谐振器的谐振频率的计算方法为：其中，W为环形结构的铁电材料的宽度，Ep...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱欣恩，
申请(专利权)人：张家港恩达通讯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：