磁电阻薄膜及其制作方法技术

一种磁电阻薄膜的制作方法，包括在基底上形成绝缘材料层；在绝缘材料层中形成沟槽；在沟槽的底部、侧壁以及所述绝缘材料层的表面形成第一阻挡层；在第一阻挡层上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层的厚度小于所述第一阻挡层的厚度；在所述第二阻挡层上形成磁性材料层；对所述磁性材料层进行退火处理，以形成所述磁电阻薄膜。此外本发明专利技术还提供了一种磁电阻薄膜，包括：设有沟槽的绝缘材料层、依次设置在绝缘材料层上的第一、第二阻挡层以及磁性材料层。本发明专利技术的技术方案具有以下优点：第二阻挡层表面更为平整，有利于后续的磁性材料层的形成，使得所述磁性材料层的晶粒排列更加规律，进而提高所述磁电阻薄膜的各向异性磁电阻相对变化率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种磁电阻薄膜的制作方法，其特征在于，包括：在基底上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层中形成沟槽；在所述沟槽的底部、侧壁以及所述绝缘材料层的表面形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层的厚度小于所述第一阻挡层的厚度；在所述第二阻挡层上形成磁性材料层；对所述磁性材料层进行退火处理，以形成所述磁电阻薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵波，刘玮荪，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：