金属纳米丝透明欧姆电极的压印方法技术

金属纳米丝透明欧姆电极的压印方法，涉及透明薄膜电极。将Cu纳米分散于有机溶液中；通过真空抽滤，将分散于有机溶液中的Cu纳米线沉积于滤膜上；将沉积有Cu纳米线的滤膜覆盖在基片上，并在基片背面施加压力，再揭去滤膜后，Cu纳米线薄膜即被转移到基片背面，然后在真空气氛中退火，即完成金属纳米丝透明欧姆电极的压印。所制成的金属纳米丝的透明欧姆电极，具有良好的电导率和透光性，并能与半导体器件形成良好欧姆接触，可以提高器件电注入效率及其出光效率。制作灵活，易于图案化，可以在很多不规则的区域或者超大面积上形成透明导电电极。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
金属纳米丝透明欧姆电极的压印方法，其特征在于包括以下步骤：1）将Cu纳米分散于有机溶液中；2）通过真空抽滤，将分散于有机溶液中的Cu纳米线沉积于滤膜上；3）将沉积有Cu纳米线的滤膜覆盖在基片上，并在基片背面施加压力，再揭去滤膜后，Cu纳米线薄膜即被转移到基片背面，然后在真空气氛中退火，即完成金属纳米丝透明欧姆电极的压印。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭栋梁，郭惠章，蔡端俊，刘翔，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：