有机发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:9407487 阅读:78 留言:0更新日期:2013-12-05 06:31
有机发光装置包括薄膜晶体管(TFT)、有机发光设备、中间层和相对电极,其中,薄膜晶体管(TFT)包括有源层、栅电极和源电极及漏电极,有机发光设备包括连接到TFT的像素电极,中间层包括发射层,相对电极接触部分将相对电极连接到功率互连线。连接到相对电极接触部分的功率互连线包括第一互连层和第二互连层,第一互连层和第二互连层堆叠并且二者之间没有绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申要求2012年5月16日在韩国知识产权局提交的第10-2012-0052215号韩国专利申请的优先权,其内容通过引用整体地并入本文中。
本专利技术涉及有机发光显示装置。
技术介绍
通常,有机发光显示装置包括薄膜晶体管(TFT)和有机发光设备,并且当适当的驱动信号传送到有机发光设备时,有机发光设备进行发光,从而显示期望图像。为此,TFT包括有源层、栅电极和源电极及漏电极,它们都堆放在衬底上。因此,当经由衬底中形成的互连线向栅电极提供电流时,电流经有源层流入源电极及漏电极,同时电流流入与源电极及漏电极连接的有机发光设备的像素电极中。有机发光设备包括像素电极、面向像素电极的相对电极和置于像素电极和相对电极之间的发射层。对于这种结构,当电流经由TFT流入像素电极中时,在相对电极和像素电极之间存在适当的电压等级,因此发射层发光,从而显示图像。
技术实现思路
实施方式涉及一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括薄膜晶体管(TFT)、有机发光设备、中间层和相对电极,该薄膜晶体管(TFT)包括有源层、栅电极和源电极及漏电极,有机发光设备包括连接到TFT的像素电极,中间层具有发射层,相对电极接触部分将相对电极连接到功率互连线,并且连接到相对电极接触部分的功率互连线包括第一互连层和第二互连层,第一和第二互连层被堆叠并且在二者之间没有绝缘层。第一互连层可以位于与栅电极相同的平面上。第二互连层可以由与源电极及漏电极相同的材料层形成。有机发光显示装置还可以包括第一绝缘层和第二绝缘层,第一绝缘层位于相对电极接触部分的功率互连线的外面,并且第一绝缘层和功率互连线之间存在间隔,第二绝缘层填充第一绝缘层和功率互连线之间的间隔。有机发光显示装置还可以包括栅绝缘层和缓冲层,栅绝缘层位于有源层和栅电极之间,缓冲层位于有源层下面,并且栅绝缘层和缓冲层包括邻近相对电极接触部分的开口部分,其中第二绝缘层还填充栅绝缘层和缓冲层的开口部分。第二绝缘层可以位于第二互连层的端部和相对电极之间。第二互连层可以包围第一互连层的端部。第二绝缘层可以位于第二互连层的端部和第一绝缘层之间。第一互连层和第二互连层可以形成为相同的图案。第二绝缘层可以位于第一绝缘层和第一互连层及第二互连层的端部之间。实施方式还涉及有机发光显示装置的制造方法,该方法包括:在衬底的相对电极接触部分中形成第一互连层,在第一互连层外面形成第一绝缘层,并且在第一互连层和第一绝缘层之间存在间隔,在第一互连层上形成第二互连层以形成包括多个互连层的功率互连线,在第二互连层的端部上和在功率互连线和第一绝缘层之间形成第二绝缘层,以及在第二绝缘层上形成相对电极以使相对电极接触功率互连线。该方法还包括形成薄膜晶体管(TFT)的有源层、栅电极、和源电极及漏电极,其中第一互连层和栅电极由相同的材料形成在同一平面中,第二互连层和源电极及漏电极由相同的材料层形成。该方法还包括:在衬底上顺序地沉积缓冲层和栅绝缘层以使栅绝缘层和缓冲层包括与相对电极接触部分邻近的开口部分,并且形成填充栅绝缘层和缓冲层的开口部分的第二绝缘层。第二互连层可以包围第一互连层的端部。第二绝缘层可以置于第二互连层的端部和第一绝缘层之间。第二互连层可以与第一互连层相同的图案形成在第一互连层上。第二绝缘层可以置于第一绝缘层和第一互连层及第二互连层的端部之间。附图简要说明通过参照附图详细地描述示例性实施方式,本专利技术的特征对于本领域的技术人员而言将是显而易见的,在附图中:图1是根据一个实施方式的有机发光显示装置的剖视图;图2A-2F是根据一个实施方式的图1的有机发光显示装置的制造方法的剖面图;图3是根据另一实施方式的有机发光显示装置的剖视图;以及图4A-4F是根据一个实施方式的图3的有机发光显示装置的制造方法的剖面图。具体实施方式一系列元件之前的诸如“至少一个”的表述用于修饰该系列的所有元件,而不是修饰该系列元件中的单个元件。在下文中,通过参照附图描述示例性实施方式将详细地描述实施方式。在附图中,相同的参考标记表示相同的部分。在示出实施方式的附图中,为了便于说明和清楚起见,附图中所示的每个层的厚度和尺寸被放大。此外,在本说明书中,当诸如层、膜、区域、板等的组成部分位于另一组成部分之上时,该组成部分应该解释成不仅包括直接位于另一组成部分之上,还包括通过至少一个其他组成部分而位于另一组成部分之上。图1是根据一个实施方式的底部发射型有机发光显示装置的剖视图。参照图1,根据本实施方式的有机发光显示装置包括薄膜晶体管TFT、有机发光设备EL和相对电极接触部分CNT,在相对电极接触部分CNT中,有机发光设备EL的相对电极35连接到功率互连线40上。薄膜晶体管TFT包括有源层21、栅电极20、源电极27及漏电极29。栅电极20包括下部栅电极23和上部栅电极25。下部栅电极23由透明的导电材料形成,上部栅电极25由金属材料形成。栅电极20通过置于栅电极20和有源层21之间的栅绝缘层15与有源层21绝缘。此外,在有源层21的两个边缘处设置注有高浓度杂质的源极区和漏极区。源电极27及漏电极29连接到源极区和漏极区。有机发光设备EL包括像素电极31、相对电极35和中间层33,像素电极31连接到薄膜晶体管TFT的源电极27及漏电极29中的一个上,相对电极35用作阴极,中间层33置于像素电极31和相对电极35之间。在图1中,参考标记50表示层间绝缘层(以下称作第一绝缘层),参考标记55表示像素限定层(以下称作第二绝缘层)。相对电极接触部分CNT包括与相对电极35接触的功率互连线40。功率互连线40包括第一互连层41和第二互连层42。第一互连层41和栅电极20由相同材料形成在同一平面上。第二互连层42和源电极27及漏电极29由相同材料层形成。为此,绝缘层未形成在第一互连层41和第二互连层42之间。第一互连层41和第二互连层42直接地彼此接触且彼此连接,绝缘层不置于第一互连层41和第二互连层42之间(或中心或端部)。因此,不形成在功率互连线40中存在绝缘层的情况中可能形成的阶梯。此外,第一绝缘层50设置在功率互连线40外面,并且在第一绝缘层50和功率互连线40之间存在间隔。第二绝缘层55置于第二互连层42和相对电极35之间,来填充第二互连层42和相对电极35之间的间隔。在此方面,第二绝缘层55还填充衬底10上的栅绝缘层15和缓冲层11的开口部分。在通常情况下,第二绝缘层55仅置于功率互连线40和相对电极35之间。但是,根据本实施方式,第二绝缘层55填充第一绝缘层50和功率互连线40之间的间隔,还填充栅绝缘层15和缓冲层11的开口部分。栅绝缘层15和缓冲层11的开口部分可以邻近相对电极接触部分。因此,因接触面积增加,可以得到强耦合。不形成可能致使膜分离的阶梯,并且可牢固地形成该耦合。因此,相对电极接触部分CNT可以具有稳定的功率连接状态。在下文中,将参照相关附图描述具有上述结构的有机发光显示装置的制造方法。图2A-2F是根据一个实施方式图1的有机发光显示装置的制造方法的剖面图。首先,参照图2A,在衬底10上形成用于平面化衬底10和防止杂质元素渗透的缓冲层11。衬底10可以由主要包括SiO2的透明玻璃材料形成。但是,在其他实施方式本文档来自技高网...
有机发光显示装置及其制造方法

【技术保护点】
一种有机发光显示装置,包括:薄膜晶体管,包括有源层、栅电极和源电极及漏电极;和有机发光设备,包括连接到所述薄膜晶体管的像素电极、具有发射层的中间层、和相对电极;相对电极接触部分,位于衬底上,所述相对电极接触部分将所述相对电极连接到功率互连线上,以及所述功率互连线,连接到所述相对电极接触部分上,所述功率互连线包括第一互连层和第二互连层,所述第一互连层和所述第二互连层被堆叠并且在所述第一互连层和所述第二互连层之间没有绝缘层。

【技术特征摘要】
2012.05.16 KR 10-2012-00522151.一种有机发光显示装置,包括:薄膜晶体管,包括有源层、栅电极和源电极及漏电极;有机发光设备,包括连接到所述薄膜晶体管的像素电极、具有发射层的中间层、和相对电极;相对电极接触部分,位于衬底上,所述相对电极接触部分将所述相对电极连接到功率互连线上,以及所述功率互连线,连接到所述相对电极接触部分上,所述功率互连线包括第一互连层和第二互连层,所述第一互连层和所述第二互连层被堆叠为所述第二互连层位于顶层且其上表面与所述相对电极接触,在所述第一互连层和所述第二互连层之间没有绝缘层。2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一互连层位于与所述栅电极相同的平面上,并且所述第二互连层由与所述源电极及漏电极相同的材料层形成。3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括:第一绝缘层,位于所述相对电极接触部分的所述功率互连线的外面,并且在所述第一绝缘层和所述功率互连线之间具有间隔,以及第二绝缘层,填充所述第一绝缘层和所述功率互连线之间的所述间隔。4.如权利要求3所述的有机发光显示装置,还包括:位于所述有源层和所述栅电极之间的栅绝缘层以及位于所述有源层下面的缓冲层,所述栅绝缘层和所述缓冲层包括邻近所述相对电极接触部分的开口部分,其中,所述第二绝缘层还填充所述栅绝缘层和所述缓冲层的所述开口部分。5.如权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述第二绝缘层位于所述第二互连层的端部和所述相对电极之间。6.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中:所述第二互连层包围所述第一互连层...

【专利技术属性】
技术研发人员:李律圭朴鲜曹圭湜
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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