一种可调节电势分布的半导体装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种可调节电势分布的半导体装置；本发明专利技术的半导体装置由主结和副结并联构成，其中副结为多个PN结串联构成，同时将副结不同位置与主结的漂移区相连；当半导体装置接反向偏压时，电势在副结上形成可控制的分布，通过主结漂移区与副结互联，改变主结的漂移区的电势分布，因此可以实现比传统PN结更高反向阻断压降；本发明专利技术提出一种可调节电势分布的半导体结，适合应用于平面结构的功率器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种可调节电势分布的半导体装置，其特征在于：包括：主结，为单个半导体结，具有半导体材料构成的漂移区；副结，为多个半导体结串联构成，副结与主结首尾并联，同时多个互联线将副结从阳极到阴极不同位置半导体材料依次与主结从阳极到阴极不同位置的半导体材料相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱江，盛况，
申请(专利权)人：朱江，盛况，
类型：发明
国别省市：