【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构，其特征在于：包括N型重掺杂衬底（1），所述N型重掺杂衬底（1）上设有N型外延层（2），所述N型外延层（2）上依次设有低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管（30）、低压N型金属氧化物半导体场效应晶体管（31）、高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（32）和中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（33），所述低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管（30）、低压N型金属氧化物半导体场效应晶体管（31）位于第一P型掺杂阱（3），在所述第一P型掺杂阱（3）内设有第一介质氧化层（34），所述中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（33）位于第二P型掺杂阱（35），所述低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管（30）和所述低压N型金属氧化物半导体场效应晶体管（31）之间通过第一N型掺杂阱（4）与所述第一P型掺杂阱（3）形成的PN结反向作用实现隔离，所述中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（33）和所述高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（32）之间通过所述N型外延层（2）与所述第二P型掺杂阱（35）形成的PN结反向作用来实...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李海松，王钦，易扬波，
申请(专利权)人：苏州博创集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：
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