【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种深耗尽沟道场效应晶体管的制备方法,包括:提供半导体衬底,并在所述半导体衬底上依次沉积绝缘层及离子注入阻挡层;刻蚀所述绝缘层及离子注入阻挡层以形成一暴露所述半导体衬底表面的凹槽;在所述凹槽内外延生长第一半导体层,所述第一半导体层的厚度小于所述凹槽的深度;在所述第一半导体层表面及离子注入阻挡层表面沉积刻蚀阻挡层,并执行化学机械研磨,以暴露所述离子注入阻挡层表面;执行第一次离子注入,以对所述第一半导体层掺杂;刻蚀去除所述离子注入阻挡层,对所述第一半导体层和所述第一半导体层两侧的半导体衬底执行第二次离子注入并退火,以在所述第一半导体层顶部形成一个轻掺杂漏区,在第一半导体层两侧的半导体衬底及第一半导体层中形成两个轻掺杂源区;在所述第一半导体层侧壁外延生长未掺杂或轻微掺杂的第二半导体层;在所述第二半导体层表面沉积氧化物形成氧化层;沉积多晶硅层以覆盖所述绝缘层表面、氧化层表面及刻蚀阻挡层表面,并执行干法刻蚀,以暴露所述绝缘层、氧化层及刻蚀阻挡层表面,并以刻蚀后所述氧化层侧壁表面的剩余多晶硅层作为栅极;刻蚀去除暴露的绝缘层、氧化层及刻蚀阻挡层,执行第三次离子注入以在所述半导体衬底形成两个包括所述轻 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘金华,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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