【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种改善栅极侧墙间隔氮化物厚度均匀度的方法，应用于栅极工艺中的多晶硅刻蚀后形成的半导体结构中，所述半导体结构包括栅氧层和覆盖于所述栅氧层上的多晶硅栅极，其特征在于，所述方法包括：采用原子层气相沉积工艺于所述半导体结构的表面制备所述半导体结构的侧墙间隔氮化物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：江润峰，戴树刚，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。