【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种超低K介质层处理方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有超低K介质层，所述超低K介质层表面膜层中含有OH根离子；利用中性粒子束对所述超低K介质层进行处理，将所述超低K介质层表面膜层中含有的OH根离子中的H离子置换成含C和H的基团。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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