薄膜电容器元件、薄膜电容器和制造薄膜电容器元件的方法技术

技术编号:9407218 阅读:87 留言:0更新日期:2013-12-05 06:26
一种薄膜电容器元件包括基部介电薄膜层(12)、形成在基部介电薄膜层(12)上并包括通过边界部分(18)彼此隔开的第一薄膜部分(20)和第二薄膜部分(22)的蒸汽沉积金属薄膜层(14)以及通过蒸汽沉积聚合或涂覆一体地形成在第二薄膜部分(22)上并具有填充边界部分(18)且覆盖第二薄膜部分(22)的在边界部分(18)一侧的端面的整个区域的覆盖部分(30)的介电覆盖薄膜层(16)。第一薄膜部分(20)包括没有被介电覆盖薄膜层(16)覆盖的未覆盖部分(34)。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜电容器元件,包括基部介电薄膜层、形成在基部介电薄膜层的相对主表面中的至少一个上的蒸汽沉积金属薄膜层以及通过蒸汽沉积聚合或涂覆一体形成在所述蒸汽沉积金属薄膜层上的介电覆盖薄膜层,其特征在于:其中没有形成所述蒸汽沉积金属薄膜层的边界部分设置在所述基部介电薄膜层的主表面的端部的一部分内,该端部的该部分与所述基部介电薄膜层的端面向内隔开,所述边界部分沿着所述端面延伸,并将所述蒸汽沉积金属薄膜层分成第一薄膜部分和第二薄膜部分,使得所述第一薄膜部分和第二薄膜部分定位在所述边界部分的相应的相对侧上,所述第一薄膜部分沿着所述基部介电薄膜层的端面延伸,而所述第二薄膜部分通过所述边界部分与所述第一薄膜部分隔开;所述介电覆盖薄膜层通过蒸汽沉积聚合或涂覆一体地形成在所述第二薄膜部分上和所述边界部分中,并包括填充所述边界部分并覆盖第二薄膜部分的在所述边界部分一侧的端面的整个区域的覆盖部分;以及所述第一薄膜部分包括没有被所述介电覆盖薄膜层覆盖的第一未覆盖部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:寺岛旭人早川宗孝伊藤薰
申请(专利权)人:小岛冲压工业株式会社
类型:发明
国别省市:

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