【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种磁屏蔽结构，其特征在于，包括设于变压器绕组对端部且与变压器绕组对之间具有间隙的磁分路，所述磁分路由导磁材料制成，负载运行时所述变压器绕组对产生的漏磁通从所述磁分路中通过，所述漏磁通在变压器绕组对中、变压器绕组对与磁分路之间的间隙处、以及磁分路中形成漏磁回路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙银年，吴素珍，
申请(专利权)人：特变电工股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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