压电陶瓷及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种温度特性优异且能够高功率驱动的压电陶瓷。压电陶瓷以100［（Sr2－xCax）1＋y/4Na1－yNb5－2/5zMnzO15］＋αSiO2（式中，0≤x＜0.3，0.1＜y＜0.6，0＜z＜0.1，1＜α＜8）的组成式表示，并含有钨青铜结构的多晶，该多晶的c轴的取向度以Lotgering因子计为60%以上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种压电陶瓷，其特征在于：以100［（Sr2－xCax）1＋y/4Na1－yNb5－2/5zMnzO15］＋αSiO2的组成式表示，并含有钨青铜结构的多晶，该多晶的c轴的取向度以Lotgering因子计为60%以上，式中，0≤x＜0.3，0.1＜y＜0.6，0＜z＜0.1，1＜α＜8。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：清水宽之，土信田丰，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：