一种高频MOSFET的负压驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高频MOSFET的负压驱动电路，包括充电电路、放电电路、变压器T、MOSFET管Q和缓冲电容C2，所述的充电电路由隔直电容C1、限流电阻R1和R2组成；所述的放电电路由稳压二极管D和放电电阻R3组成；所述的变压器T的原边同名端连接电源正极V+，原边非同名端连接MOSFET的漏极；所述的MOSFET管Q的源极接地；所述缓冲电容C2的正极接Q的漏极D，其负极接Q的源极S。微处理器PWM信号的输出点经限流电阻R1和隔直电容C1与MOSFET的栅极G相连。该电路结构简单、成本低廉，并在微处理器出现故障时，可以自动关断MOSFET，防止变压器初级绕组长时间开通，避免初级绕组电流过大引起器件损害。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高频MOSFET的负压驱动电路，其特征在于，包括充电电路、放电电路、变压器T、MOSFET管Q和缓冲电容C2，所述变压器T的原边同名端接电源正极V+，原边非同名端接MOSFET管Q的漏极D；所述MOSFET?管Q的源极S接地；所述缓冲电容C2的正极接Q的漏极D，C2的负极接Q的源极S。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨毅，
申请(专利权)人：杨毅，
类型：实用新型
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