一种端口负载保护开关的负压过压保护电路制造技术

技术编号:9395890 阅读:200 留言:0更新日期:2013-11-28 07:34
本实用新型专利技术公开一种端口负载保护开关的负压过压保护电路,包括:P型场效应管;第三N型场效应管;第二N型场效应管,其包括栅极、第三N+区和第四N+区,其栅极与P型场效应管的漏极相连,其第三N+区和第四N+区对应分别形成源极或漏极;开关NMOS管,其包括栅极、第一N+区和第二N+区,其栅极与所述第四N+区相连,且其栅极通过一反相器与所述控制信号相连,其第一N+区和第二N+区对应分别形成源极或漏极,第一N+区与第三N+区以及信号输入端相连,第二N+区与信号输出端相连;判断电路,其控制所述开关NMOS管的衬底、第二N型场效应管的衬底及第三N型场效应管的衬底连接到最高电位、控制所述P型场效应管的衬底连接到最低电位。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种端口负载保护开关的负压过压保护电路,其特征在于包括:P型场效应管,其源极与信号输入端连接;第三N型场效应管,其栅极与P型场效应管的栅极相连且与控制信号相连,其漏极与P型场效应管的漏极相连,其源极接地;第二N型场效应管,其包括栅极、第三N+区和第四N+区,其栅极与P型场效应管的漏极相连,其第三N+区和第四N+区对应分别形成源极或漏极;开关NMOS管,其包括栅极、第一N+区和第二N+区,其栅极与所述第四N+区相连,且其栅极通过一反相器与所述控制信号相连,其第一N+区和第二N+区对应分别形成源极或漏极,第一N+区与第三N+区以及信号输入端相连,第二N+区与信号输出端相连;判断电路,其与所述开关NMOS管的衬底、第二N型场效应管的衬底及第三N型场效应管的衬底和P型场效应管的衬底连接且控制所述开关NMOS管的衬底、第二N型场效应管的衬底及第三N型场效应管的衬底连接到最高电位、控制所述P型场效应管的衬底连接到最低电位。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:鞠建宏靳瑞英
申请(专利权)人:帝奥微电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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