【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括源极和漏极、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极，其特征在于，该薄膜晶体管还包括：位于源极与漏极之间的遮光板，所述遮光板将源极与漏极阻断，所述遮光板位于半导体有源层的入射光侧，阻挡入射光对半导体有源层的照射。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：阎长江，蒋晓纬，姜晓辉，谢振宇，陈旭，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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