【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于包括：衬底；绝缘层，在衬底的表面之上形成；半导体管芯，设置在衬底的表面之上；沟道，在半导体管芯周围的绝缘层中形成；底部填充材料，沉积在半导体管芯与衬底之间和沟道中；以及散热器，设置在半导体管芯之上，散热器被热连接到衬底。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔大植，梁正忍，朴相美，权元一，朴利洙，
申请(专利权)人：新科金朋有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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