光电子半导体器件制造技术

在光电子半导体器件（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体器件包括至少两个光电子半导体芯片（2），所述光电子半导体芯片位于共同的安装面（5）上。光学元件（3）沿着主放射方向（M）设置在半导体芯片（2）的下游并且与半导体芯片（2）隔开。沿着横向于主放射方向（M）的方向（L），光学元件（3）在过渡区域（30）中具有透射梯度。在安装面（5）的俯视图中，过渡区域（30）不覆盖半导体芯片（2）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：格哈德·库恩，阿莱斯·马尔基坦，克里斯蒂安·盖特纳，乌尔里希·施特雷佩尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：