半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具有使BLDD结构高耐压化、能够充分抑制热载流子劣化的漏区并能够实现高耐ESD性的半导体装置、半导体装置的制造方法。形成具备MOS晶体管的半导体装置，该MOS晶体管具有形成于半导体衬底内的源区和漏区以及形成于该源区和漏区之间的沟道区。此时，从注入到沟道区的P型杂质放出而有助于导电的空穴的浓度，在接近漏区的一侧低于接近源区的一侧，漏区包含注入了N型杂质的漂移区，漂移区构成为除了在半导体衬底的表面附近以外还从漏区向沟道区一侧延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂本敏郎，
申请(专利权)人：旭化成微电子株式会社，
类型：
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