本发明专利技术提供一种在进行催化剂体CVD法的成膜装置中，减轻催化剂体的伸长引起的问题，运行成本、生产性方面优异的结构。具备：能够将内部维持为减压状态的腔室（1）；将原料气体导入腔室的原料气体导入通路（32、33a）；以由气体导入通路导入的原料气体接触表面的方式设置于腔室（1）内、在钽线的表面形成有硼化物层的催化剂体（4）；为了在催化剂体（4）的表面形成硼化物层，向腔室（1）导入乙硼烷气体的表面层形成用气体导入通路（36、33b）；和对催化剂体（4）施加能量而使催化剂体为规定的温度的电源部（5），停止原料气体的导入，一边从表面层形成用气体导入通路导入乙硼烷气体，一边对催化剂体（4）进行通电加热，在催化剂体（4）的硼化物层的表面进一步重叠形成硼化物。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：上山知纪，甲斐干英，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：
国别省市：
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