瞬态电压抑制器制造技术

一种瞬态电压抑制器可以包括具有耦合到VCC的阳极的硅可控整流器(SCR)。所述SCR可以包括PNP晶体管(Q2)和NPN晶体管(Q3)，所述PNP晶体管具有与NPN晶体管的集电极公用的基极，并且所述PNP晶体管具有与NPN晶体管的基极公用的集电极。所述TVS可以进一步包括具有阳极和阴极的齐纳二极管，其中阳极直接耦合到所述NPN晶体管的基极和/或阴极直接耦合到所述PNP晶体管的基极；以及额外的NPN晶体管(Q1)。所述SCR的阴极可以直接耦合到额外的NPN晶体管的基极，并且额外的NPN晶体管的集电极和发射极可以直接串联耦合在VCC与接地之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：JM乔尔根森，S康，CN马拉克，J卢，
申请(专利权)人：力特保险丝有限公司，
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